KLF60R170B TO-220F 600V22A N沟道MOS管｜KIA-MOS管
低栅极电荷雪崩加固 KLF60R170B，解决电源发热效率低痛点
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KLF60R170B规格书
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KLF60R170B（TO-220F封装）产品基础信息
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产品型号
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KLF60R170B
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封装
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TO-220F
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品牌
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KIA（可易亚半导体）
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器件类型
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N?Channel Multi-EPI Super-J MOSFET
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额定VDSS
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600V
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连续漏极电流ID(Tc=25℃)
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22A
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连续漏极电流ID(Tc=100℃)
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12A
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脉冲漏极电流IDM
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57A
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RDS(ON)典型值
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150mΩ @ VGS=10V
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总栅极电荷Qg典型值
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30.2nC
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KLF60R170B（TO-220F封装）器件核心特性 Features
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特性列表
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低导通阻抗Rds(on)
低栅极电荷Qg
高鲁棒性High ruggedness
超高速开关Ultra fast switching
100%雪崩测试
提升dv/dt抗扰能力
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KLF60R170B（TO-220F封装）引脚定义 Pin configuration
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引脚1
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Gate（栅极G）
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引脚2
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Drain（漏极D）
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引脚3
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Source（源极S）
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KLF60R170B（TO-220F封装）绝对最大额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
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漏源电压VDSS
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600V
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栅源电压VGSS
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±30V
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单脉冲雪崩能量EAS
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985mJ
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雪崩电流IAR
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4A
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重复雪崩能量EAR
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1.62mJ
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MOS管dv/dt
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100V/ns
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峰值二极管恢复dv/dt
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20V/ns
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耗散功率PD
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36W
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25℃以上降额系数
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0.29 W/℃
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焊接引脚最高温度TL
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260℃（5秒）
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工作/存储温区Tj&Tstg
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-55℃ ~ +150℃
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KLF60R170B（TO-220F封装）热特性 Thermal characteristics
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结到外壳热阻RθJC
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3.5 ℃/W
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结到环境热阻RθJA
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62.5 ℃/W
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KLF60R170B（TO-220F封装）关键电气参数 Electrical characteristics(Tc=25℃)
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漏源击穿电压BVDSS
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600V (Vgs=0V,Id=1mA)
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栅极阈值电压VGS(TH)
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2.5~4.5V 典型3.5V
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栅极电阻Rg
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1.3Ω @ f=1MHz
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输入电容Ciss
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1250pF
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反向传输电容Crss
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35pF
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输出电容Coss
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1250pF
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栅源电荷Qgs
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6nC
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栅漏密勒电荷Qgd
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16nC
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开通延迟时间td(on)
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13ns
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上升时间trise
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9ns
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关断延迟时间td(off)
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55ns
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下降时间tfall
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10ns
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体二极管正向压降Vsd
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最大1.2V
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反向恢复时间trr
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274ns
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KLF60R170B（TO-220F封装）客户痛点&营销卖点
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客户痛点
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电源发热大，导通损耗高
开关损耗大，整机效率低
雪崩抗扰差，炸管故障率高
dv/dt能力不足，EMI难调试
高温工况电流衰减严重
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产品营销卖点
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低Rds(on)降低导通发热
低Qg，降低开关损耗
100%雪崩测试，可靠性高
优异dv/dt耐受，EMI更友好
Super-J多外延工艺，高温性能稳定
TO?220F绝缘封装，简化绝缘设计
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KLF60R170B（TO-220F封装）应用领域 使用场景
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应用场景清单
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开关电源
电源适配器
LED驱动电源
PFC功率因数校正电路
工业电源
逆变器
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KLF60R170B（TO-220F封装）平替替代型号清单
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兼容平替料号
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IPP60R170CFD7XKSA1
SVS60R190FJD
AOTF20S60L
FCPF22N60NT
KLP60R170B(TO-220非绝缘版)
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