KLF60R135BD TO-220F 600V N 沟道 mos管｜KIA-MOS管
KLF60R135BD 高压 mos 管 TO?220F 封装 低内阻开关电源专用
KLF60R135BD，KLF60R135BD mos管，TO?220F mos管，600V N 沟道 mos管
KLF60R135BD规格书
KLF60R135BD（TO-220F）N沟道超结MOSFET产品详情
|
产品型号
|
KLF60R135BD
|
|
封装
|
TO-220F
|
|
品牌
|
KIA（KMOS Semiconductor）
|
|
产品简述
|
N-Channel Multi-EPI Super-JMOSFET
24A，600V超结功率mos管
|
|
同系列型号
|
KLM60R135BD（TO-247封装）
|
KLF60R135BD（TO-220F）产品核心特性 Features
|
Rds(ON)=110mΩ(典型值) @ VGS=10V
|
|
低栅极电荷 Qg典型值46nC
|
|
高抗冲击可靠性 High ruggedness
|
|
超快速开关 Ultra fast switching
|
|
100%雪崩测试 100% avalanche tested
|
|
提升dv/dt抗扰能力 Improved dv/dt capability
|
KLF60R135BD（TO-220F）引脚定义 Pin configuration
|
引脚Pin
|
功能Function
|
|
1
|
Gate（栅极G）
|
|
2
|
Drain（漏极D）
|
|
3
|
Source（源极S）
|
KLF60R135BD（TO-220F）订购信息 Ordering Information
|
料号Part Number
|
Package封装
|
Brand品牌
|
|
KLF60R135BD
|
TO-220F
|
KIA
|
|
KLM60R135BD
|
TO-247
|
KIA
|
KLF60R135BD（TO-220F）绝对最大额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
|
参数
|
符号
|
TO?220F规格
|
单位
|
|
漏源电压Drain-to-Source Voltage
|
Vdss
|
600
|
V
|
|
栅源电压Gate-to-Source Voltage
|
Vgss
|
±30
|
V
|
|
连续漏极电流Tc=25℃
|
Id
|
24
|
A
|
|
连续漏极电流Tc=100℃
|
Id
|
15
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
Idm
|
72
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量EAS
|
EAS
|
455
|
mJ
|
|
功耗Power Dissipation
|
Pd
|
44
|
W
|
|
25℃以上降额因子
|
Pd
|
0.35
|
W/℃
|
|
焊接最高引脚温度5秒
|
TL
|
260
|
℃
|
|
工作与存储温度
|
Tj&Tstg
|
-55 ~ 150
|
℃
|
KLF60R135BD（TO-220F）热特性 Thermal characteristics
|
参数
|
符号
|
TO-220F
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
2.85
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
KLF60R135BD（TO-220F）电气特性 Electrical characteristics(Tc=25℃)
|
参数
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
漏源击穿电压
|
BVdss
|
Vgs=0V,Id=250uA
|
600
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
Idss
|
Vds=600V,Vgs=0V
|
-
|
-
|
10
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
Igss
|
Vgs=±30V,Vds=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
漏源导通电阻
|
Rds(on)
|
Vgs=10V,Id=12A
|
-
|
110
|
135
|
mΩ
|
|
栅极阈值电压
|
Vgs(TH)
|
Vds=Vgs,Id=250uA
|
2.5
|
-
|
4.5
|
V
|
|
栅极电阻
|
Rg
|
f=1MHz
|
-
|
1.9
|
-
|
Ω
|
|
输入电容Ciss
|
Ciss
|
Vgs=0V,Vds=100V
f=100KHz
|
-
|
2060
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容Crss
|
Crss
|
-
|
100
|
-
|
pF
|
|
输出电容Coss
|
Coss
|
-
|
1.2
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
Vds=400V,Id=12A
Vgs=10V
|
-
|
48
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
9
|
-
|
nC
|
|
栅漏密勒电荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
13
|
-
|
nC
|
|
开通延迟时间td(on)
|
td(on)
|
Vds=400V,Id=12A
Rg=4.7Ω,Vgs=10V
|
-
|
20
|
-
|
nS
|
|
上升时间trise
|
trise
|
-
|
35
|
-
|
nS
|
|
关断延迟时间td(off)
|
td(off)
|
-
|
54
|
-
|
nS
|
|
下降时间tfall
|
tfall
|
-
|
12
|
-
|
nS
|
|
体二极管正向连续电流
|
Is
|
--
|
-
|
-
|
24
|
A
|
|
体二极管脉冲正向电流
|
Ism
|
--
|
-
|
-
|
72
|
A
|
|
体二极管正向电压Vsd
|
Vsd
|
Is=24A,Vgs=0V
|
-
|
-
|
1.4
|
V
|
|
反向恢复时间trr
|
trr
|
Is=12A,Vds=400V
|
-
|
110
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷Qrr
|
Qrr
|
di/dt=130A/us
|
-
|
0.79
|
-
|
uC
|
备注：脉冲测试条件：脉宽≤300μs，占空比≤0.5%
KLF60R135BD（TO-220F）平替替代型号清单
SVSP24N60FJD(T)D2
LSB65R125GT
P65R135D4
FCH35N60（TO-220F改封装）
STW34N60M2（TO-220F改封装）
|
KLF60R135BD（TO-220F）官网产品介绍
|
产品优势
|
KLF60R135BD为KIA多层外延超结mos管，600V/24A TO-220F封装。
低导通内阻Rds(on)典型110mΩ，降低导通发热损耗。
栅电荷Qg典型46nC，开关速度快，适合高频电源设计。
100%雪崩测试，优秀dv/dt耐受，抗干扰不易炸机。
国产原厂供货，交期稳定，可替代进口高压mos方案。
|
|
典型应用场景
|
开关电源、适配器、工业电源、PFC电路、
LED驱动电源、逆变器、高压DC-DC变换。
|
|
客户痛点解决
|
1.高频电源发热大：低Rds(on)+低Qg兼顾导通与开关损耗
2.设备容易炸管：高雪崩耐量、强dv/dt抗扰，可靠性高
3.进口料交期长：KIA国产原厂现货，供货稳定，成本可控
4.散热受限TO-220F封装：热阻优化，适合有限散热空间
|
|
采购提示
|
同参数可切换KLM60R135BD（TO-247封装）；
选型务必核对散热设计与实际工作电流，预留安全余量。
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
