KCY3503S DFN5*6 30V70A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
2.6mΩ 低导通电阻，降低电源发热与开关损耗
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低内阻 N 沟道 mos管，大电流 DC-DC mos管，台式机电源 mos管，快充模块
KCY3503S规格书
KCY3503S N-CHANNEL MOSFET｜DFN5*6封装
KCY3503S（DFN5*6封装）30V 70A N沟道mos管｜沟槽工艺、低栅极电荷、大电流能力
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KCY3503S（DFN5*6封装）基础产品信息
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型号
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KCY3503S
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封装
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DFN5*6
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通道类型
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N-CHANNEL N沟道
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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Rds(on)典型值
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2.6mΩ @VGS=10V
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工艺
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Advanced Trench Technology
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特性
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低栅极电荷、大电流能力
RoHS无卤素合规
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典型应用
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台式机电源管理、DC/DC转换器
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KCY3503S（DFN5*6封装）绝对最大额定参数
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参数
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符号
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参数值
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漏源电压
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VDS
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30V
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栅源电压
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VGS
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±20V
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连续漏极电流Tc=25℃
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ID
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70A
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连续漏极电流Tc=100℃
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ID
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56A
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脉冲漏极电流
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IDM
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280A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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115.2mJ
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雪崩电流
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IAS
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48A
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总耗散功率Tc=25℃
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PD
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43.1W
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结温存储温度范围
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TJ,TSTG
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-55℃ ~ 150℃
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KCY3503S（DFN5*6封装）热学参数
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参数
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符号
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参数值
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结到环境热阻
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RθJA
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50℃/W
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结到外壳热阻
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RθJC
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2.9℃/W
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KCY3503S（DFN5*6封装）电气特性(Tj=25℃)
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参数
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符号
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条件
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参数
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漏源击穿电压
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BVdss
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VGS=0V,ID=-250μA
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30V Min
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漏源漏电流
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IDSS
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VDS=24V,VGS=0V
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1μA Max@25℃
5μA Max@55℃
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=±20V,VDS=0V
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±100nA Max
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栅极阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250μA
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1.2~2.5V(Typ1.6V)
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=10V,ID=15A
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2.6~3.8mΩ
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=4.5V,ID=15A
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3.6~4.8mΩ
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正向跨导
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gFS
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VDS=5V,ID=20A
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90S Typ
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栅极电阻
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Rg
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VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz
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1.6Ω Typ
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总栅电荷4.5V
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Qg
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VDS=15V,VGS=10V
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20nC Typ
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栅源电荷
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Qgs
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ID=20A
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12nC Typ
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栅漏电荷
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Qgd
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ID=20A
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14.5nC Typ
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开通延迟时间
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td(on)
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VDD=15V,RG=3.3Ω
VGS=10V,ID=?20A
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11ns Typ
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上升时间
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tr
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6ns Typ
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关断延迟时间
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td(off)
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38ns Typ
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下降时间
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tf
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11ns Typ
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输入电容
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Ciss
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VGS=0V,VDS=15V,F=1MHz
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3020pF Typ
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输出电容
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Coss
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1570pF Typ
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反向传输电容
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Crss
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200pF Typ
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源极连续电流
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IS
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VS=VD=0V
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70A
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二极管正向电压
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VSD
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VGS=0V,IS=1A
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1.4V Max
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KCY3503S（DFN5*6封装）引脚定义 DFN5*6
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引脚4
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Gate栅极
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引脚5,6,7,8
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Drain漏极
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引脚1,2,3
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Source源极
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KCY3503S（DFN5*6封装）平替替代型号清单
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可直接平替
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KCY3503S?A
NCE3070K
SM3070ND
AOD607
IRL540N-DFN56
UT3070G
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KCY3503S（DFN5*6封装）官网产品营销推广内容
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产品优势
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-沟槽工艺，极低导通电阻
-低栅极电荷，开关损耗小
-DFN5*6贴片，节省PCB空间
-70A大电流，适合大电流电源
-完整雪崩耐受，可靠性强
-无卤素RoHS环保合规
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客户痛点解决
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解决电源方案发热大损耗高
解决高频开关温升超标问题
解决贴片大功率器件占位大
满足台式机电源、DC-DC转换器
大电流降压模块、负载开关应用
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应用领域
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台式电脑电源管理
DC-DC降压转换器
大电流负载开关
快充电源模块
工业板卡供电回路
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