KNY3403A DFN56 封装 30V85A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
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KNY3403A规格书
KNY3403A N-CHANNEL MOSFET｜DFN5*6封装
30V 85A N沟道mos管｜低导通电阻、高雪崩电流、无铅环保
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KNY3403A（DFN5*6封装）基础产品信息
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型号
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KNY3403A
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封装
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DFN5*6
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同系列型号
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KND3403A(TO?252)
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通道类型
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N-CHANNEL N沟道
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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Rds(on)典型值
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4.5mΩ @VGS=10V
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特性
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低导通损耗、高雪崩电流
无铅绿色器件、低Rds(on)
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典型应用
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负载开关、SMPS开关电源
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KNY3403A（DFN5*6封装）绝对最大额定参数
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参数
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符号
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参数值
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漏源电压
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VDS
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30V
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栅源电压
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VGS
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±20V
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连续漏极电流Silicon-25℃
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ID
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85A
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连续漏极电流Silicon-100℃
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ID
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61A
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连续漏极电流Package?25℃@VGS=10V
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ID
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50A
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连续漏极电流Silicon-25℃@VGS=4.5V
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ID
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76A
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连续漏极电流Silicon-100℃@VGS=4.5V
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ID
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54A
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连续漏极电流Package-25℃@VGS=4.5V
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ID
|
50A
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脉冲漏极电流
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IDM
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340A
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雪崩电流L=0.5mH
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IAS
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25A
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单脉冲雪崩能量L=0.5mH
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EAS
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156mJ
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总耗散功率Tc=25℃
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PD
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71W
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总耗散功率Tc=100℃
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PD
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35W
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结温存储温度范围
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TJ,TSTG
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-55℃ ~ 175℃
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热学参数
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参数
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符号
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参数值
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结到外壳热阻
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RθJC
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2.1℃/W
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结到环境热阻
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RθJA
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106℃/W
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KNY3403A（DFN5*6封装）电气特性(Tj=25℃)
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参数
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符号
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条件
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参数
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漏源击穿电压
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BVdss
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VGS=0V,ID=250μA
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30V Min
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零栅压漏源漏电流
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IDSS
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VDS=24V,VGS=0V
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1μA Max
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栅极阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250μA
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0.8~2.0V
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=±20V,VDS=0V
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±100nA Max
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=10V,ID=30A
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4.5~5.5mΩ
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=4.5V,ID=30A
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5~7mΩ
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正向跨导
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gFS
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VDS=5V,ID=90A
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74S Typ
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栅极电阻
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Rg
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VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz
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2.0Ω Typ
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输入电容
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Ciss
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VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz
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3000pF Typ
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输出电容
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Coss
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330pF Typ
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反向传输电容
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Crss
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285pF Typ
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开通延迟时间
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td(on)
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VDS=15V,ID=1A
VGS=4.5V,RG=3Ω
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20ns Typ
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上升时间
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tr
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32ns Typ
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关断延迟时间
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td(off)
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60ns Typ
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下降时间
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tf
|
33ns Typ
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总栅电荷
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Qg
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VDS=25V,ID=14A,VGS=4.5V
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25nC Typ
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栅源电荷
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Qgs
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3.2nC Typ
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栅漏电荷
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Qgd
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12nC Typ
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二极管正向电压
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VSD
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VGS=0V,ISD=25A
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0.82~1.3V
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源极连续正向电流
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IS
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-
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50A
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反向恢复时间
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trr
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IS=20A,di/dt=100A/μs
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14ns Typ
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反向恢复电荷
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Qrr
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IS=20A,di/dt=100A/μs
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2.8μC Typ
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KNY3403A（DFN5*6封装）引脚定义 DFN5*6
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引脚4
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Gate栅极
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引脚5,6,7,8
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Drain漏极
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引脚1,2,3
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Source源极
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KNY3403A（DFN5*6封装）平替替代型号清单
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可直接平替
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NCE3085K
SM3085ND
AOD608
UT3085G
KCY3403A
NCE85H30K
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KNY3403A（DFN5*6封装）官网产品营销推广内容
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产品优势
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4.5mΩ低导通电阻，降低导通损耗
高雪崩电流，抗感性冲击可靠性强
DFN5*6贴片，节省PCB布板空间
85A大电流承载，适合大功率回路
反向恢复速度快，适合高频SMPS
无铅绿色环保器件，满足RoHS
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客户痛点解决
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解决电源导通损耗大发热严重
解决感性负载雪崩击穿风险
解决大功率器件占用PCB面积大
适配负载开关、开关电源高频工况
国产料替代进口，降低物料成本
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应用领域
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负载开关电路
SMPS开关电源
大电流降压模块
工业电源供电回路
快充电源、板载电源管理
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座机：0755-83888366-8022
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