KND3903A TO-252 30V85A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
大电流低内阻贴片 MOS 管，电源快充负载开关优选
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大电流低内阻 MOS管，快充电源 MOS管，负载开关 MOS管
KND3903A规格书
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KND3903A N-CHANNEL MOSFET｜TO-252封装｜30V 85A
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产品型号
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KND3903A
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封装
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TO-252
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沟道类型
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N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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漏源电压VDSS
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30V
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连续漏极电流ID(25℃)
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85A
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连续漏极电流ID(100℃)
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55A
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脉冲漏极电流IDM
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360A
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栅源电压VGS
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±20V
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单脉冲雪崩能量EAS
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90mJ
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耗散功率PD(25℃)
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90W
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结温/存储温度
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-55~175℃
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焊接引线温度TL
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300℃
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结壳热阻RθJC
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1.67℃/W
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漏源击穿电压BVDSS
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30V(Min)
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漏源漏电流IDSS
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1μA(Max)
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栅源阈值VGS(TH)
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1.0~2.5V(Typ:1.5V)
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导通电阻RDS(ON)@Vgs=10V
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3.6mΩ(Typ)/5.0mΩ(Max)
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导通电阻RDS(ON)@Vgs=4.5V
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5.2mΩ(Typ)/7.0mΩ(Max)
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输入电容Ciss
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2705pF
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输出电容Coss
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322pF
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反向传输电容Crss
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240pF
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开通延迟td(on)
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12ns
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上升时间tr
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35ns
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关断延迟td(off)
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42ns
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下降时间tf
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15ns
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总栅极电荷Qg@10V
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40nC
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栅源电荷Qgs
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4nC
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栅漏电荷Qgd
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12nC
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体二极管正向电压VSD
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1.2V(Max)
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反向恢复时间Trr
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16ns
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反向恢复电荷Qrr
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5nC
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核心特性
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极低Rds(on)、低Crss、高速开关
100%雪崩测试、优异dv/dt抗扰能力
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应用领域
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PWM电路、负载开关、电源管理、DC-DC电源
快充、大电流电源模块、电池保护
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平替替代型号清单
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KNB3903A
KPY3404A
AOD403
NCE3080K
IRLR7843
SM4034
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产品营销推广
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KND3903A为TO?252贴片N沟道MOS管，30V85A大电流规格。
极低导通电阻，降低导通损耗，缓解大电流发热痛点；
经过100%雪崩测试，dv/dt性能优异，电源系统可靠性高；
开关速度快，适合PWM、负载开关、电源管理类方案；
TO?252贴片封装，节省PCB布局空间，国产器件，可替代进口料，交期稳定。
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