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KCT017N10L1 TOLL‑8 100V340A N沟道MOS管|KIA‑MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-31 

KCT017N10L1 TOLL-8 100V340A N沟道MOS管|KIA-MOS管

低导通电阻 TOLL-8 功率 mos 管 高雪崩抗冲击 适配 BMS 电机驱动

KCT017N10L1

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KCT017N10L1 规格书

KCT017N10L1规格书

KCT017N10NL1|TOLL-8L N沟道mos管
KCT017N10L1 (TOLL-8封装)产品营销简介
型号 KCT017N10NL1
封装 TOLL-8L
工艺 SGT工艺N沟道mos管
核心参数 Vds=100V,Id=340A,Rds(on) typ 1.3mΩ
产品优势 低导通电阻,低栅极电荷Qg=181nC,低Crss=89pF,优异FoM;100%UIS、Rg、DVDS、雪崩测试
应用场景 DC/DC转换器、电机驱动、电池管理系统
包装规格 卷带包装,2000pcs/盘
平替替代型号清单 KCT017N10N KCP017N10N KCT017N12N KCB017N10N

KCT017N10L1

KCT017N10L1 (TOLL-8封装)绝对最大额定值(Tc=25℃)

参数 符号 数值 单位
漏源电压(Vgs=0V) Vds 100 V
连续漏极电流(Tc=25℃) Id 340 A
连续漏极电流(Tc=100℃) Id 238 A
脉冲漏极电流 Id_pulse 1360 A
栅源电压 Vgs ±20 V
单脉冲雪崩能量 Eas 1218 mJ
耗散功率 Pd 329 W
二极管连续正向电流 Is 340 A
二极管脉冲电流 Is_pulse 1360 A
结温与存储温度 Tj,Tstg -55~+150
结到壳热阻 RthJC 0.38 ℃/W
结到环境热阻 RthJA 40 ℃/W
KCT017N10L1 (TOLL-8封装)静态电气特性(Tj=25℃)
参数 符号 测试条件 Min Typ Max Unit
漏源击穿电压 V(BR)DSS Vgs=0V,Id=250uA 100 - - V
零栅压漏极电流 Idss Vds=100V,Vgs=0V - - 1 uA
栅源漏电流 Igss Vgs=±20V - - ±100 nA
栅源阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 2 - 4 V
漏源导通电阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=70A - 1.3 1.6
栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 1.7 - Ω
KCT017N10L1 (TOLL-8封装)动态电气特性(Tj=25℃)
参数 符号 测试条件 Min Typ Max Unit
输入电容 Ciss Vgs=0V,Vds=50V,f=1MHz - 10361 - pF
输出电容 Coss - 2441 - pF
反向传输电容 Crss - 89 - pF
总栅极电荷 Qg Vgs=10V,Vdd=50V,Id=70A - 181 - nC
栅源电荷 Qgs - 59 - nC
栅漏电荷 Qgd - 58 - nC
栅极平台电压 Vplateau Vgs=10V,Vdd=50V,Id=70A - 6 - V
开通延迟时间 td(on) Vgs=10V,Vdd=50V,Rg=4.7Ω,Id=70A - 57 - ns
开通上升时间 tr - 91 - ns
关断延迟时间 td(off) - 60 - ns
关断下降时间 tf - 79 - ns
KCT017N10L1 (TOLL-8封装)体二极管特性(Tj=25℃)
参数 符号 测试条件 Min Typ Max Unit
体二极管正向电压 Vsd Is=70A,Vgs=0V - 0.85 1.4 V
反向恢复时间 trr If=70A,diF/dt=100A/us - 88 - ns
反向恢复电荷 Qrr - 210 - nC
订购信息
型号 丝印 封装 包装形式 每盘数量
KCT017N10NL1 KCT017N10NL1 TOLL?8L Tape&Reel卷带 2000pcs
备注: 1.参数受最大结温限制; 2.重复额定值脉冲宽度受最大结温限制; 3.测试条件:L=0.5mH,Rg=25Ω,Vgs=10V,Vdd=50V,Tj=25℃。


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

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KCT017N10L1

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