KCP017N10N TO-220 100V259A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
大电流低内阻 mos 管 攻克发热大感性负载冲击难题
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低开关损耗 mos管，电机驱动 mos管，BMS 电源 mos管，储能 mos管
KCP017N10N规格书
KCP017N10N （TTO-220封装）功率mos管｜产品介绍
KCX017N10N包含KCB017N10N(TO-263)、KCT017N10N(TOLL)两款封装，采用Geener先进MOS工艺。
超低导通电阻，优异FOM品质因数，通过JEDEC标准，100%雪崩、DVDS出厂全检。
解决大功率发热、感性负载冲击、开关损耗高、PCB空间紧张等选型痛点。
适配电机驱动、电池管理BMS、UPS不间断电源，国产器件支持试样拿样。
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KCP017N10N （TTO-220封装）产品型号
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KCX017N10N(KCB017N10N / KCT017N10N)
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封装
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TO-263(KCB017N10N) / TOLL(KCT017N10N)
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Vds漏源电压
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100V
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Id连续漏极电流(Tc=25℃)
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259A
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Rds(on)典型值
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TO?263:1.6mΩ｜TOLL:1.4mΩ
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脉冲漏极电流
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1036A(Tc=25℃)
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EAS单脉冲雪崩能量
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1365mJ
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Vgs栅源电压
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±20V
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总耗散功率(Tc=25℃)
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250W
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结温存储温度
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?55℃ ~ +150℃
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热阻Rth(j-c)
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0.5 ℃/W Max
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热阻Rth(j-a)
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40 ℃/W Max(最小焊盘)
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认证测试
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100%DVDS测试，100%雪崩测试，RoHS，HF
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KCP017N10N （TTO-220封装）静态参数
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符号
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参数值
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测试条件
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漏源击穿电压
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BVdss
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100V Min
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Vgs=0V,Id=250uA
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栅极阈值电压
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Vgs(th)
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2.2~3.8V Typ:3V
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Vds=Vgs,Id=250uA
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零栅漏极电流
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Idss
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1μA Max
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Vds=100V,Vgs=0V
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栅源漏电流
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Igss
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±100nA Max
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Vgs=±20V,Vdss=0V
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导通电阻TO?263
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Rds(on)
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1.6mΩ Typ,2.0mΩ Max
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Vgs=10V,Id=100A
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导通电阻TOLL
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Rds(on)
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1.4mΩ Typ,1.7mΩ Max
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Vgs=10V,Id=100A
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跨导
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gfs
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238S Typ
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Vds=5V,Id=100A
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动态参数
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符号
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典型值
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测试条件
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输入电容
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Ciss
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10120pF
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Vgs=0V,Vds=50V,f=1MHz
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输出电容
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Coss
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1360pF
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Vgs=0V,Vds=50V,f=1MHz
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反向传输电容
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Crss
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50pF
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Vgs=0V,Vds=50V,f=1MHz
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栅极总电荷
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Qg
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176nC
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Vgs=10V,Vds=50V,Id=50A
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栅源电荷
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Qgs
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47nC
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Vgs=10V,Vds=50V,Id=50A
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栅漏电荷
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Qgd
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54nC
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Vgs=10V,Vds=50V,Id=50A
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开通延迟时间
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td(on)
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85ns
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Vgs=10V,Vdd=50V,Rg_ext=4.7Ω
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上升时间
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tr
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137ns
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Vgs=10V,Vdd=50V,Rg_ext=4.7Ω
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关断延迟时间
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td(off)
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92ns
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Vgs=10V,Vdd=50V,Rg_ext=4.7Ω
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下降时间
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tf
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98ns
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Vgs=10V,Vdd=50V,Rg_ext=4.7Ω
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栅极电阻
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Rg
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1.2Ω
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Vgs=0V,Vds=0V,f=1MHz
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KCP017N10N （TTO-220封装）体二极管参数
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符号
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参数
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测试条件
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体二极管正向电压
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Vsd
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0.9V Typ,1.2V Max
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Vgs=0V,Isd=50A
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反向恢复时间
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trr
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79ns Typ
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If=20A,di/dt=100A/μs
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反向恢复电荷
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Qrr
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180nC Typ
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If=20A,di/dt=100A/μs
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KCP017N10N （TTO-220封装）料号
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丝印
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封装
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包装规格
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KCB017N10N
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KCB017N10N
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TO-263
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Tape，1000pcs
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KCT017N10N
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KCT017N10N
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TOLL
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Tape，2000pcs
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KCP017N10N （TTO-220封装）平替替代型号清单
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IPT015N10N5（TOLL-8）
NCE100H26(TO-263)
CRS017N10N(TO-263-7)
IPT017N10NM6(TOLL-8)
APM017N10(TO-263-6L)
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主要应用领域
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电机控制驱动，电池管理BMS，UPS不间断电源
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联系方式：邹先生
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