KCB046N10N TO-263 100V140A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS管
低内阻低 Qg 贴片 mos 管 攻克大电流发热雪崩损坏难题
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低 Qg 高频 mos管，抗雪崩 mos管 ，电机驱动 mos管，UPS电源 mos管
KCB046N10N 规格书
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KCB046N10N 产品简介｜TO-263-3L
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KCB046N10N （TO-263封装）产品型号
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KCB046N10N
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封装
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TO-263-3L(TO?263)
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沟道类型
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N沟道mos管
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Vds漏源电压
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100V
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Id连续漏极电流(Tc=25℃)
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140A
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Id连续漏极电流(Tc=100℃)
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98A
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Idm脉冲漏极电流
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560A
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Rds(on)导通电阻(Typ)
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4.4mΩ(Vgs=10V,Id=40A)
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Rds(on)导通电阻(Max)
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4.9mΩ(Vgs=10V,Id=40A)
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Qg总栅极电荷(Typ)
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71.8nC
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Vgs(th)栅极阈值电压
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2V?4V
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Vgs栅源电压
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±20V
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Pd耗散功率(Tc=25℃)
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179W
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Eas单脉冲雪崩能量
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426mJ
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RθJC结壳热阻
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0.7℃/W
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RθJA结环境热阻
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55℃/W
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工作结温存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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Ciss输入电容(Typ)
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4538pF
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Coss输出电容(Typ)
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627pF
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Crss反向传输电容(Typ)
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30pF
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Vsd体二极管正向电压
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0.9V?1.4V
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trr反向恢复时间
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60ns
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Qrr反向恢复电荷
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90nC
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包装方式
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Tape&Reel，1000pcs/盘
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KCB046N10N （TO-263封装）产品核心特性
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低导通电阻，降低设备温升损耗
低栅极电荷，适合高频开关应用
低Crss，改善开关振荡干扰
100% UIS、雪崩可靠性全检
优异FoM品质因数，效率表现佳
RoHS环保，HF无卤合规器件
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KCB046N10N （TO-263封装）典型应用场景
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电机驱动电路
DC/DC转换电源
UPS不间断电源
大功率开关电源模块
工业电源、储能功率回路
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KCB046N10N （TO-263封装）客户痛点解决
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大电流工况发热过高，器件温升严重
高频开关损耗大，整机效率上不去
感性负载冲击，雪崩易损坏mos管
寄生参数造成震荡干扰输出不稳定
贴片大电流功率器件散热安装难题
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平替替代型号清单
(窄屏竖排展示)
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IRF46N10N
NCEP046N10
AOD46N10
STP46N10
FQD46N10N
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KCB046N10N （TO-263封装）官网产品介绍
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KCB046N10N为TO?263?3L贴片N沟道mos管，耐压100V，持续电流140A。
超低4.4mΩ导通电阻搭配71.8nC低栅电荷，兼顾大电流承载与高频性能。
器件全部经过UIS单脉冲雪崩、DVDS可靠性测试，抗感性冲击能力强。
适配电机驱动、DC?DC、UPS不间断电源等工业大功率场景。
TO?263贴片封装节省PCB空间，焊接便捷，散热性能优异。
支持试样评估拿样，可直接对标多款进口国产同规格功率器件。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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