KPG9103A DFN3*3 封装 30V40A N 沟道 mos管｜KIA-MOS管
DFN3*3 小体积大电流 mos 管 低内阻国产替代 适配 DC-DC 电机驱动
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KPG9103A规格书
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KPG9103A（DFN3*3封装）产品基础信息
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型号
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KPG9103A
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封装
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DFN3*3
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类型
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N沟道增强型mos管
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Vds漏源电压
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30V
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Vgs栅源电压
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±20V
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Id连续漏极电流
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40A
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Idm脉冲漏极电流
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160A
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Pd最大耗散功率
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60W(Ta=25℃)
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工作结温范围
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-55℃ ~ +150℃
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KPG9103A（DFN3*3封装）静态电气参数(Ta=25℃)
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BVDss漏源击穿电压
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30V@Vgs=0V,Id=250μA
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Rds(on)导通电阻1
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8.5mΩ(Typ)@Vgs=10V,Id=30A
Max:10.5mΩ
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Rds(on)导通电阻2
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13.5mΩ(Typ)@Vgs=4.5V,Id=20A
Max:18mΩ
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Vgs(th)栅极阈值电压
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1.6V(Typ)｜1-3V@250μA
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Idss零栅压漏极电流
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≤1μA@Vds=24V,Vgs=0V
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Igss栅源正向漏电流
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±100nA@Vgs=±20V,Vds=0V
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KPG9103A（DFN3*3封装）动态参数(Ta=25℃)
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Qg总栅极电荷
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8nC(Typ)@Id=30A,Vds=15V
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Qgs栅源电荷
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3nC(Typ)
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Qgd栅漏米勒电荷
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2.8nC(Typ)
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td(on)开通延迟时间
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12ns(Typ)
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tr上升时间
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5ns(Typ)
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td(off)关断延迟时间
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28ns(Typ)
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tf下降时间
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5ns(Typ)
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Ciss输入电容
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910pF(Typ)@Vds=15V,1MHz
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Coss输出电容
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190pF(Typ)
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Crss反向传输电容
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95pF(Typ)
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KPG9103A（DFN3*3封装）体二极管参数
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Is二极管持续正向电流
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40A(Tj=25℃)
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Vsd二极管正向电压
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1.5V Max@Is=20A,Vgs=0V
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KPG9103A（DFN3*3封装）热阻参数
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RθJC结到外壳热阻
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2℃/W
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RθJA结到环境热阻
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50℃/W(PCB mounting)
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KPG9103A（DFN3*3封装）主要应用场景
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应用
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DC-DC开关
电机驱动控制
移动电源Power Bank
LED照明电源
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KPG9103A（DFN3*3封装）产品特点
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特性
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沟槽工艺，极低导通电阻
高密度单元设计
雪崩电压电流完整表征
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KPG9103A（DFN3*3封装）平替替代型号清单
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可直接兼容备选
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KND9103A
KNX9103A
AOD403
AOD4185
IRLR7843
NCE40H30
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KPG9103A（DFN3*3封装）官网产品介绍
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产品简述
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KPG9103A为DFN3*3封装N沟道mos管，30V/40A，采用先进沟槽工艺，实现极低导通电阻，开关损耗小，具备优良雪崩耐受能力。小体积封装，适合高密度PCB布局，广泛用于DC-DC变换、电机驱动、移动电源、LED电源等场景，国产替代，供货稳定。
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