KNG3303C DFN33 封装 30V90A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
DFN33 小体积 MOS 管，低内阻大电流，国产替代优选
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低内阻 MOS管，负载开关 MOS管，电源管理 MOS管
KNG3303C规格书
KNG3303C DFN3*3 N沟道mos管
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产品基础信息｜KNG3303C（DFN3*3封装）N-CHANNEL MOSFET
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产品型号
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KNG3303C
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封装
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DFN3*3
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沟道类型
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N沟道
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品牌
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KIA
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漏源电压VDSS
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30V
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连续漏极电流ID(25℃)
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90A
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连续漏极电流ID(100℃)
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59A
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脉冲漏极电流IDM
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400A
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栅源电压VGS
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±20V
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单脉冲雪崩能量EAS
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289mJ
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功耗PD(25℃)
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66W
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结?壳热阻RθJC
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1.9℃/W
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工作存储温度
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-55~150℃
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焊接引脚最高温度TL
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300℃
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电气参数(Tc=25℃)
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漏源击穿电压BVDSS
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30V(VGS=0V,ID=250uA)
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漏源漏电流IDSS
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≤1uA(VDS=30V,VGS=0V)
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栅源漏电流IGSS
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±100nA(VGS=±20V,VDS=0V)
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栅极阈值VGS(TH)
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1.0~2.2V(VDS=VGS,ID=250uA)
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导通电阻RDS(ON)@Vgs=10V Id=20A
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Typ 2.6mΩ
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导通电阻RDS(ON)@Vgs=4.5V Id=15A
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Typ 3.9mΩ
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输入电容Ciss
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3280pF
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输出电容Coss
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360pF
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反向传输电容Crss
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320pF
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开启延迟时间td(on)
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10ns
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上升时间tr
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100ns
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关断延迟td(off)
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54ns
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下降时间tf
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98ns
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总栅极电荷Qg@10V
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60nC
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栅源电荷Qgs
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28nC
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栅漏电荷Qgd
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3nC
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体二极管正向电压VSD
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1.2V(ISD=20A,Vgs=0V)
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反向恢复时间Trr
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20ns
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反向恢复电荷Qrr
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10nC
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体二极管连续正向IS
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100A
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产品特性
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极低导通电阻Rds(on)，降低发热损耗
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低Crss，开关性能优异
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高速开关，适合PWM高频电路
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100%雪崩测试，可靠性强
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优异dv/dt抗扰能力
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典型应用场景
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PWM电源电路
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负载开关
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电源管理模块
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锂电池保护板、DC-DC转换
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小型电机驱动
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官网产品营销推广文案
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KNG3303C DFN3*3贴片N沟道mos管，30V/90A大电流，
2.6mΩ超低导通内阻，大幅降低整机发热。经过100%雪崩
可靠性测试，高速开关、低Crss，适配高频PWM电源、负载
开关、锂电保护板等。DFN3*3小体积贴片，节省PCB空间，
国产KIA器件，现货充足，可替代进口料，解决交期长、
成本高痛点，适合高密度小型电源方案选型。
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平替替代型号清单
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KNY3303C（DFN5*6）
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KND3303C（TO-252）
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AOD4185
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NCE60H15
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IRL3103S
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SM4044
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