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KNY2803A DFN5*6封装 30V150A N沟道MOS管|KIA‑MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-04 

KNY2803A DFN5*6封装 30V150A N沟道MOS管|KIA-MOS管

DFN5*6 大电流 MOS 管|2.2mΩ 低内阻 100% 雪崩耐受 锂电池保护专用

KNY2803A

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KNY2803A规格书

KNY2803A



KNY2803A N?Channel MOSFET|DFN5*6封装
产品型号 KNY2803A
封装 DFN5*6
沟道类型 N沟道MOS管
漏源电压VDSS 30V
连续漏极电流ID 150A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流IDM 600A
栅源电压VGSS ±20V
单脉冲雪崩能量EAS 625mJ
最大耗散功率PD 50W(Tc=25℃)
最高结温TJ 150℃
存储温度TSTG -50℃ ~ +150℃
二极管正向连续电流IS 150A
结壳热阻RθJC 3.0 ℃/W
电气特性(Tc=25℃)
漏源击穿电压BVDSS 30V(ID=250μA)
漏源漏电流IDSS Max 1μA@VDS=24V
栅极阈值电压VGS(th) 0.8~2.0V Typ:1.3V
导通内阻RDS(on)@Vgs=10V Typ:2.2mΩ Max:3.0mΩ
导通内阻RDS(on)@Vgs=4.5V Typ:2.8mΩ Max:4.0mΩ
输入电容Ciss Typ:5350pF
输出电容Coss Typ:715pF
反向传输电容Crss Typ:605pF
总栅极电荷Qg Typ:110nC
栅源电荷Qgs Typ:35nC
米勒电荷Qgd Typ:14nC
开启延迟时间Td(on) Typ:19nS
上升时间trise Typ:50nS
关断延迟时间Td(off) Typ:20nS
下降时间tfall Typ:26nS
体二极管正向电压VSD Typ:1.3V
反向恢复时间trr Typ:32ns
反向恢复电荷Qrr Typ:33nC
产品核心特性
特性列表
  • 极低导通内阻,损耗低
  • 高速开关响应
  • 100%雪崩测试验证
  • 可重复雪崩耐受至Tjmax
  • 无铅RoHS合规
营销推广|应用领域
产品简介 KNY2803A采用沟槽工艺,实现极低导通电阻。结温可达150℃,开关速度快,雪崩性能优异。DFN5*6小封装承载150A大电流,解决PCB空间紧张、发热大、浪涌易烧毁痛点,适合电机驱动、锂电池保护板、DC?DC电源、大电流开关电源、车载电源管理等场景,高可靠性降低整机返修率。
应用场景
  • 电机驱动控制
  • 锂电池保护板
  • DC?DC电源变换
  • 大电流开关电源
  • 车载电源管理模块
平替替代型号清单
(窄屏竖排展示)
KND2803A(TO-252)
KNP2803A(TO-220)
同规格30V150A DFN5*6竞品
兼容替换:低Rds(on)大电流N沟道MOS管


KNY2803A

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

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KNY2803A

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