KND2803S TO‑252 30V80A N沟道MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-09-07
KND2803S TO-252 30V80A N沟道MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 大电流 TO-252 mos 管，适配电池保护与电机驱动
KND2803S，KND2803S mos管，TO?252 N 沟道 mos管，30V80A mos管
KND2803S规格书
| 产品名称 | N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管 |
|---|---|
| 料号 | KND2803S |
| 封装 | TO-252 |
| 品牌 | KIA |
| 电压Vds | 30V |
| 连续电流Id(25℃) | 150A |
| 1. Rds(on)=2.1mΩ(typ.)@Vgs=10V |
| 2. 极低导通电阻 Rds(on) |
| 3. 低Crss反向传输电容 |
| 4. 快速开关特性 |
| 5. 100%雪崩测试验证 |
| 6. 优化dv/dt抗扰动能力 |
| 1. PWM开关电源应用 |
| 2. 电源管理模块 |
| 3. 负载开关 |
| Pin引脚 | 功能 Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 2 | Drain 漏极 |
| 3 | Source 源极 |
| Part Number料号 | Package封装 | Brand品牌 |
|---|---|---|
| KND2803S | TO-252 | KIA |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 30 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | Id | 150 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | Id | 82 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 360 | A |
| 栅源电压 | Vgs | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 480 | mJ |
| 功耗(Tc=25℃) | Pd | 48 | W |
| 结温与存储温度 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
| 焊接引脚最高温度5s | Tl | 300 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | Rθjc | 2.6 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Bvdss | Vgs=0V,Id=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=30V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=24V,Tc=125℃ | - | - | 50 | uA |
| 栅源正向漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.6 | 2.2 | V |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 2.1 | 2.8 | mΩ |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=10A | - | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 5705 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 530 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 500 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) |
Vgs=10V,Vds=15V Rl=3.3Ω,Id=30A |
- | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr |
Vgs=10V,Vds=15V Rl=3.3Ω,Id=30A |
- | 15 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) |
Vgs=10V,Vds=15V Rl=3.3Ω,Id=30A |
- | 78 | - | ns |
| 下降时间 | tf |
Vgs=10V,Vds=15V Rl=3.3Ω,Id=30A |
- | 30 | - | ns |
| 总栅极电荷(10V) | Qg | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 112 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 25 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 28 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | Is | — | - | - | 140 | A |
| 体二极管脉冲电流 | Ism | — | - | - | 360 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Isd=20A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 体二极管反向恢复时间 | trr | Ir=30A,dl/dt=100A/us | - | - | 22 | nS |
| 体二极管反向恢复电荷 | Qrr | Ir=30A,dl/dt=100A/us | - | - | 13 | nC |
|
兼容替代型号
|
|---|
|
AOD2803 AOD4280 NCE6015K AP30P15K SM4045 IRLR7843 FDD8880 |
| 项目 | 产品介绍 |
|---|---|
| 核心卖点 | TO-252 30V150A N沟道mos管，超低2.1mΩ导通电阻 |
| 优势1 | 低Crss，开关速度快，降低开关损耗 |
| 优势2 | 100%雪崩测试，抗冲击，可靠性高 |
| 优势3 | 优化dv/dt，体二极管反向恢复性能优秀 |
| 优势4 | TO-252贴片封装，适合高密度电源板设计 |
| 适用场景 | DC-DC电源、BMS保护板、电机驱动、负载开关 |
| SEO标题参考 | KND2803S TO-252 30V150A N沟道mos管｜KIA-mos管 |
| 1.脉冲测试条件：脉宽≤300us，占空比≤0.5% |
| 2.EAS雪崩条件：Tj=25℃,Vdd=20V,Vg=10V,Rg=25Ω,L=0.5mH |
| 3.电流受最大结温限制，实际使用做好散热 |
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
