KND2803S DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS 管｜KIA‑MOS 管
信息来源：本站 日期：2026-09-07
KND2803S DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
低内阻 2.1mΩ｜雪崩可靠｜BMS 电机驱动大电流贴片 MOS 管
KND2803S 场效应管，DFN56 大电流 MOS 管，低损耗 MOS 管，
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KND2803S规格书
| 产品型号 | KNY2803S |
|---|---|
| 封装 | DFN5*6 |
| 沟道类型 | N-CHANNEL N沟道MOSFET |
| 品牌 | KIA |
| 额定Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id(25℃) | 150A |
| 连续漏极电流Id(100℃) | 82A |
| 脉冲漏极电流IdM | 360A |
| Rds(on)=1.8mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 极低导通电阻 Rds(on) |
| 低Crss反向传输电容 |
| 开关速度快 Fast switching |
| 100%雪崩测试 100% avalanche tested |
| 优异dv/dt抗扰能力 Improved dv/dt capability |
| PWM控制应用 |
| 电源管理 Power Management |
| 负载开关 Load switch |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极 |
| 1,2,3 | Source 源极 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极电压 | Vdss | 30 | V |
| 连续漏极电流(Tc=25℃) | Id | 150 | A |
| 连续漏极电流(Tc=100℃) | Id | 82 | A |
| 脉冲漏极电流 | IdM | 360 | A |
| 栅源极电压 | Vgs | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 480 | mJ |
| 耗散功率(Tc=25℃) | Pd | 55 | W |
| 结温与存储温度 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
| 焊接引脚最高温度 | TL | 300 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结?壳热阻 | RθJC | 2.3 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | Vgs=0V,Id=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=30V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 高温漏源漏电流 | Idss | Vds=24V,Tc=125℃ | - | - | 50 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1.0 | 1.6 | 2.2 | V |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 1.8 | 2.2 | mΩ |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=4.5V,Id=10A | - | 2.3 | 3.0 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 5705 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 530 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 500 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vgs=10V,Vds=15V,RL=3.3Ω,Id=30A | - | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr | Vgs=10V,Vds=15V,RL=3.3Ω,Id=30A | - | 15 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vgs=10V,Vds=15V,RL=3.3Ω,Id=30A | - | 78 | - | ns |
| 下降时间 | tf | Vgs=10V,Vds=15V,RL=3.3Ω,Id=30A | - | 30 | - | ns |
| 总栅极电荷(10V) | Qg | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 112 | - | nC |
| 栅-源电荷 | Qgs | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 25 | - | nC |
| 栅-漏电荷 | Qgd | Vds=15V,Id=40A,Vgs=10V | - | 28 | - | nC |
| 体二极管连续电流 | Is | — | - | - | 150 | A |
| 体二极管脉冲电流 | IsM | — | - | - | 360 | A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Isd=20A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 体二极管反向恢复时间 | trr | Is=30A,di/dt=100A/us | - | - | 22 | nS |
| 体二极管恢复电荷 | Qrr | Is=30A,di/dt=100A/us | - | - | 13 | nC |
8.平替替代型号清单
|
| 客户痛点 |
|
|---|---|
| 产品解决卖点 |
|
| SEO Title | KNY2803S DFN5*6 30V150A N沟道MOS管｜KIA-MOS管 |
| 网页Meta描述 |
KIA KNY2803S N沟道mos管，DFN5*6封装，30V/150A，极低导通电阻；解决大电流发热 、冲击炸管痛点，用于PWM、电源管理、负载开关，国产现货。 |
| 关键词 |
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