KND2803C TO-252 30V150A N 沟道 mos管｜KIA-MOS管
超低导通电阻，抗雪崩，解决大电流发热烧毁难题
KND2803C，TO-252mos管，30V150A N 沟道 mos管，低内阻 mos管，
大电流 mos管，电池保护 mos管，BMS功率管
KND2803C规格书
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项目
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参数详情
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产品型号
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KNY2803S（KND2803S）
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封装
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DFN5*6
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沟道类型
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N?CHANNEL N沟道MOS管
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漏源电压Vdss
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30V
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连续漏极电流Id@25℃
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150A
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连续漏极电流Id@100℃
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82A
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脉冲漏极电流Idm
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360A
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栅源电压Vgs
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±20V
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单脉冲雪崩能量Eas
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480mJ
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功耗Pd@25℃
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55W
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结温存储温度范围
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-55℃ ~ +150℃
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焊接引脚最高温度TL
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300℃(5s)
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结壳热阻抗Rθjc
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2.3℃/W
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Rds(on)@Vgs=10V
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Typ:1.8mΩ Max:2.2mΩ
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Rds(on)@Vgs=4.5V
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Typ:2.3mΩ Max:3.0mΩ
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栅极阈值电压Vgs(th)
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Min1.0V Typ1.6V Max2.2V
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输入电容Ciss
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5705pF
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输出电容Coss
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530pF
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反向传输电容Crss
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500pF
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总栅电荷Qg@10V
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112nC
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栅源电荷Qgs
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25nC
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栅漏电荷Qgd
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28nC
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开启延迟时间td(on)
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12ns
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上升时间tr
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15ns
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关断延迟时间td(off)
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78ns
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下降时间tf
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30ns
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体二极管反向恢复时间trr
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22nS
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体二极管反向恢复电荷Qrr
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13nC
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引脚定义
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4脚=G；5-8脚=D；1-3脚=S
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产品特性
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极低导通电阻，低Crss，高速开关
100%雪崩测试，dv/dt抗扰能力强
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应用场景
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PWM电路、电源管理、负载开关
BMS、电机驱动、低压大电流电源
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平替替代型号清单
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NTD4960N
AON6400
AOD4184
BSC014N03LS
IRL540N
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营销推广要点
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-DFN5*6贴片大电流N沟道MOS管-30V/150A，低内阻降低发热损耗
-100%雪崩测试，
提升整机可靠性
-低Crss，开关速度快适合PWM
-国产现货，支持样品申请
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