KNB2803C TO-263 30V150A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 2.0mΩ｜100% 雪崩测试｜国产现货解决大电流发热炸机痛点
KNB2803C,KNB2803C TO?263,30V150A N 沟道 mos管
KNB2803C规格书
KNB2803C N沟道mos管｜KIA-MOS管
KNB2803C（ TO-263封装）产品简介
|
产品型号
|
KNB2803C
|
|
产品类型
|
N-Channel Power MOSFET
|
|
封装
|
TO-263
|
|
品牌
|
KIA
|
|
品牌工艺
|
Advanced Trench technology
|
|
核心卖点
|
Rds(on)典型2.0mΩ@Vgs=10V；超低栅极电荷；
优异CdV/dt抑制；100%ΔVds、UIS测试
|
KNB2803C（ TO-263封装）引脚定义
|
Pin引脚
|
功能
|
|
1
|
Gate（栅极）
|
|
2
|
Drain（漏极）
|
|
3
|
Source（源极）
|
KNB2803C（ TO-263封装）绝对最大额定值(T-=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
额定值
|
单位
|
|
漏源电压(Vgs=0V)
|
VDS
|
30
|
V
|
|
栅源电压(Vds=0V)
|
VGS
|
±20
|
V
|
|
连续漏极电流 Tc=25℃
|
ID
|
150
|
A
|
|
连续漏极电流 Tc=100℃
|
ID
|
96
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
IDM
|
720
|
A
|
|
总耗散功率(Tc=25℃)
|
PD
|
158
|
W
|
|
雪崩能量
|
EAS
|
576
|
mJ
|
|
结温与存储温度
|
TJ,TSTG
|
-55 ~ 150
|
℃
|
KNB2803C（ TO-263封装）热学参数
|
参数名称
|
符号
|
最大值
|
单位
|
|
结到壳热阻
|
RθJC
|
0.95
|
℃/W
|
KNB2803C（ TO-263封装）电气特性(T-=25℃)
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
Vgs=0V,Id=250uA
|
30
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源泄漏电流
|
IDSS
|
Vds=30V,Vgs=0V,25℃
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源泄漏电流
|
IGSS
|
Vgs=±20V,Vds=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
Vgs=Vds,Id=250uA
|
1.0
|
1.8
|
2.5
|
V
|
|
导通电阻
|
RDS(ON)
|
Vgs=10V,Id=30A
|
-
|
2.0
|
2.8
|
mΩ
|
|
Vgs=4.5V,Id=20A
|
-
|
2.9
|
3.8
|
mΩ
|
|
栅极电阻
|
Rg
|
Vds=0V,Vgs=0V,f=1MHz
|
-
|
0.7
|
-
|
Ω
|
|
输入电容
|
Ciss
|
Vds=15V,Vgs=0V,f=1MHz
|
-
|
6000
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
625
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
530
|
-
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
Vds=15V,Vgs=10V,Rg=3Ω,Id=30A
|
-
|
10
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
-
|
25
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
-
|
72
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
-
|
45
|
-
|
ns
|
|
总栅极电荷
|
Qg
|
Vds=15V,Vgs=10V,Id=30A
|
-
|
110
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
-
|
18
|
-
|
nC
|
|
体二极管连续电流
|
ISD
|
—
|
-
|
-
|
150
|
A
|
|
二极管正向电压
|
VSD
|
Vgs=0V,Isd=30A,Tj=25℃
|
-
|
-
|
1.2
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
Tj=25℃,If=30A,di/dt=100A/μs
|
-
|
25
|
-
|
nS
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
-
|
15
|
-
|
nC
|
备注：
1)数据在1inch2 FR?4板、2OZ铜表面贴装测试；
2)脉冲测试：脉宽300us，占空比2%；
3)UIS条件VDD=20V,Vgs=10V,L=0.5mH,IAS=48A；
4)功耗受175℃结温限制；
5)理论值不等于实际，受总功耗约束。
KNB2803C（ TO-263封装）平替替代型号清单
IPT015N03NM
NCEP85T30
AP2803
FDD8896
AOD4280
IRL3803S
NTP400N30
|
KNB2803C（ TO-263封装）产品营销推广说明
|
产品标题
|
KNB2803C TO-263 30V150A N沟道mos管｜KIA-MOS管
|
|
核心优势
|
1.沟槽工艺，极低导通电阻Rds(on)典型2.0mΩ
2.超低栅电荷，开关损耗低，适合高频电源
3.内置体二极管，优异抗CdV/dt干扰能力
4.100%UIS雪崩、ΔVds全检，可靠性高
5.TO?263贴片封装，大电流散热能力强
|
|
典型应用场景
|
DC?DC电源、电机驱动、锂电池保护板
车载BMS、同步整流、大电流开关电源
UPS、快充电源、负载开关
|
|
选型提示
|
30V/150A，TO-263；适合大电流低压场景；
注意散热设计，结温不可超过150℃
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
