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KNY2803T DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS管|KIA‑MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-08 

KNY2803T DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

DFN5*6 贴片大电流 mos 管|低内阻低温升,100% 雪崩可靠性,BMS 储能优选

KNY2803T

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KNY2803T规格书

KNY2803T规格书

KNY2803T DFN5*6 N沟道mos管


KNY2803T( DFN5*6封装)产品基础信息 KNY2803T

产品型号 KNY2803T
封装 DFN5*6
通道类型 N-Channel N沟道功率mos管
品牌 KIA
产品简介 先进沟槽工艺,超低栅极电荷,100%UIS雪崩测试
平替替代型号清单
AOD810
IRF3803
NCE30H15K
WSD30150DN
SM30150ND

KNY2803T

KNY2803T( DFN5*6封装)核心特性 Features

先进Trench沟槽工艺
Rds(on)=2.2mΩ@VGS=10V
Super Low Gate Charge超低栅极电荷
支持绿色环保器件
优异CdV/dt效应抑制能力
100% ΔVds测试
100% UIS雪崩测试

KNY2803T( DFN5*6封装)引脚定义 Pin configuration

引脚Pin 功能Function
4 Gate 栅极
5,6,7,8 Drain 漏极
1,2,3 Source 源极

KNY2803T( DFN5*6封装)订购信息 Ordering Information

料号Part Number 封装Package 品牌Brand
KNY2803T DFN5*6 KIA

KNY2803T( DFN5*6封装)最大绝对额定值 Absolute maximum ratings TA=25℃

参数 符号 额定值 单位
漏源电压(VGS=0V) VDS 30 V
栅源电压(VDS=0V) VGS ±20 V
连续漏极电流Tc=25℃ ID 150 A
连续漏极电流Tc=100℃ ID 95 A
脉冲漏极电流 IDM 600 A
总耗散功率Tc=25℃ PD 120 W
雪崩能量 EAS 342 mJ
结温存储温度范围 TJ,TSTG -55~150

KNY2803T( DFN5*6封装)热特性 Thermal characteristics

参数 符号 最大值 单位
结到壳热阻 RθJC 1.25 ℃/W

KNY2803T( DFN5*6封装)电气参数 Electrical characteristics TA=25℃

参数名称 符号 条件 Min Typ Max Unit
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250uA 30 - - V
漏源漏电流 IDSS VDS=30V,VGS=0V,Tc=25℃ - - 1 uA
栅源漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=250uA 1.0 1.5 2.5 V
导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=30A - 2.2 3.0
导通电阻 RDS(on) VGS=4.5V,ID=20A - 3.1 4.2
栅极电阻 Rg VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz - 1.8 - Ω
输入电容 Ciss VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 3480 - pF
输出电容 Coss VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 445 - pF
反向传输电容 Crss VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz - 380 - pF
开通延迟时间 td(on) VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A - 9.5 - ns
上升时间 tr VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A - 18 - ns
关断延迟时间 td(off) VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A - 50 - ns
下降时间 tf VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A - 17 - ns
总栅极电荷 Qg VDS=15V,VGS=10V,ID=30A - 80 - nC
栅源电荷 Qgs VDS=15V,VGS=10V,ID=30A - 4.5 - nC
栅漏电荷 Qgd VDS=15V,VGS=10V,ID=30A - 30 - nC
体二极管电流 ISD - - 150 A
二极管正向电压 VSD VGS=0V,ISD=30A,Tj=25℃ - - 1.2 V
反向恢复时间 trr Tj=25℃,IF=30A,di/dt=100A/us - 18 - nS
反向恢复电荷 Qrr Tj=25℃,IF=30A,di/dt=100A/us - 6.8 - nC

KNY2803T( DFN5*6封装)营销推广|产品介绍

客户痛点 大电流发热大、导通损耗高
开关损耗大、易炸机;进口料交期长
产品优势 低Rds(on)、超低Qg、100%UIS雪崩测试
DFN5*6贴片小体积,国产现货供应
典型应用场景 锂电保护板、电机驱动、DC?DC电源
快充、BLDC马达、工业电源
SEO标题 KNY2803T DFN5*6 30V150A N沟道MOS管|KIA?MOS管
Meta描述

KNY2803T DFN5*6 N沟道mos管,30V150A,低内阻低栅极电荷,100%雪崩测试

,国产现货,用于锂电保护、电机驱动、快充电源,支持规格书样品。

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联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

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