KNY2803T DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS管|KIA‑MOS管
信息来源:本站 日期:2026-09-08
KNY2803T DFN5*6 30V150A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
DFN5*6 贴片大电流 mos 管|低内阻低温升,100% 雪崩可靠性,BMS 储能优选
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KNY2803T规格书
| 产品型号 | KNY2803T |
|---|---|
| 封装 | DFN5*6 |
| 通道类型 | N-Channel N沟道功率mos管 |
| 品牌 | KIA |
| 产品简介 | 先进沟槽工艺,超低栅极电荷,100%UIS雪崩测试 |
| 平替替代型号清单 |
AOD810 IRF3803 NCE30H15K WSD30150DN SM30150ND |

| 先进Trench沟槽工艺 |
| Rds(on)=2.2mΩ@VGS=10V |
| Super Low Gate Charge超低栅极电荷 |
| 支持绿色环保器件 |
| 优异CdV/dt效应抑制能力 |
| 100% ΔVds测试 |
| 100% UIS雪崩测试 |
| 引脚Pin | 功能Function |
|---|---|
| 4 | Gate 栅极 |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极 |
| 1,2,3 | Source 源极 |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KNY2803T | DFN5*6 | KIA |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压(VGS=0V) | VDS | 30 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 150 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 95 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 600 | A |
| 总耗散功率Tc=25℃ | PD | 120 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 342 | mJ |
| 结温存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RθJC | 1.25 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V,Tc=25℃ | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=30A | - | 2.2 | 3.0 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=20A | - | 3.1 | 4.2 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz | - | 1.8 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 3480 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 445 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 380 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A | - | 9.5 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A | - | 18 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A | - | 50 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=15V,VGS=10V,RG=2Ω,ID=20A | - | 17 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,VGS=10V,ID=30A | - | 80 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V,VGS=10V,ID=30A | - | 4.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=15V,VGS=10V,ID=30A | - | 30 | - | nC |
| 体二极管电流 | ISD | — | - | - | 150 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,ISD=30A,Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Tj=25℃,IF=30A,di/dt=100A/us | - | 18 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Tj=25℃,IF=30A,di/dt=100A/us | - | 6.8 | - | nC |
| 客户痛点 |
大电流发热大、导通损耗高 开关损耗大、易炸机;进口料交期长 |
|---|---|
| 产品优势 |
低Rds(on)、超低Qg、100%UIS雪崩测试 DFN5*6贴片小体积,国产现货供应 |
| 典型应用场景 |
锂电保护板、电机驱动、DC?DC电源 快充、BLDC马达、工业电源 |
| SEO标题 | KNY2803T DFN5*6 30V150A N沟道MOS管|KIA?MOS管 |
| Meta描述 |
KNY2803T DFN5*6 N沟道mos管,30V150A,低内阻低栅极电荷,100%雪崩测试 ,国产现货,用于锂电保护、电机驱动、快充电源,支持规格书样品。 |
| 关键词 |
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