KNB2803T TO-263 30V150A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
超低 2.4mΩ 内阻 100% UIS 雪崩全检 锂电 BMS 储能专用 mos管
KNB2803T,KIA MOS管，TO-263MOS管，30V150A N 沟道MOS管，
BMS 保护板 MOS管，储能大电流 MOS管，低内阻功率 MOS管，UIS 雪崩
KNB2803T规格书
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KNB2803T（TO-263封装）N沟道功率mos管｜TO-263
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产品简述
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30V/150A，沟槽工艺，超低Rds(on)与栅电荷，BMS/储能专用
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封装
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TO-263
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品牌
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KIA
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Vds 耐压
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30V
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Id连续电流(Tc=25℃)
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150A
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Id连续电流(Tc=100℃)
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95A
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Idm脉冲电流
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640A
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Rds(on)典型@Vgs=10V
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2.4mΩ
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Rds(on)@Vgs=4.5V,Id=15A
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最大4.0mΩ
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Vgs阈值Vgs(th)
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1.0~2.5V，典型1.5V
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总栅电荷Qg
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80nC
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栅源电荷Qgs
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4.5nC
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栅漏电荷Qgd
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30nC
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输入电容Ciss
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3510pF
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输出电容Coss
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445pF
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反向传输电容Crss
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375pF
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单脉冲雪崩能量EAS
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381mJ
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功耗Pd(Tc=25℃)
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150W
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结到壳热阻Rθjc
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1.0 ℃/W
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工作结温范围
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-55℃ ~ +150℃
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体二极管正向压降Vsd
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最大1.2V(Isd=30A)
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反向恢复时间trr
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18ns
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特性亮点
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沟槽工艺，超低栅电荷，抑制CdV/dt；100%ΔVds、UIS雪崩测试
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典型应用
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锂电BMS保护板、便携储能、大电流电机驱动、电源
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KNB2803T（TO-263封装）平替替代型号
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AON7540
IRF2807
NTMFS5C430NL
SIRL80DP
IPP023N03L
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KNB2803T（TO-263封装）产品介绍
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30V 150A大电流，极低导通内阻，发热更低
全检雪崩UIS，BMS/储能方案防炸管更可靠
超低栅电荷，开关损耗小，适合高频大电流回路
TO-263贴片封装，适配SMT产线，供货稳定
国产KIA，快速送样，技术支持配套齐全
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