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KNG8104A（DFN3*3封装）产品基础信息
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产品型号
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KNG8104A
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封装
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DFN3*3
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产品类型
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N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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VDSS漏源电压
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40V
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ID连续漏极电流
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30A(Tc=25℃)
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ID连续漏极电流
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19A(Tc=100℃)
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IDM脉冲漏极电流
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120A
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VGS栅源电压
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±20V
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EAS单脉冲雪崩能量
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25mJ
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PD功耗(Tc=25℃)
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96W
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工作结温/存储温度
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-55~150℃
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引脚耐焊接温度
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300℃(5秒)
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RθJC结壳热阻
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1.3℃/W
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KNG8104A（DFN3*3封装）电气特性参数
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BVDSS漏源击穿电压
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40V@VGS=0V,ID=250uA
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IDSS漏源漏电流
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1uA Max@VDS=40V,VGS=0V
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IGSS栅源漏电流
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±100nA Max@VGS=±20V,VDS=0V
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VGS(TH)栅阈值电压
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1.0~2.5V，典型1.5V
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RDS(on)导通电阻
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12mΩ典型@VGS=10V,ID=20A
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RDS(on)导通电阻
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16.5mΩ典型@VGS=4.5V,ID=10A
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RG栅极电阻
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4Ω@f=1MHz
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Ciss输入电容
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850pF@VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz
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Coss输出电容
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70pF@VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz
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Crss反向传输电容
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62pF@VDS=20V,VGS=0V,f=1MHz
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td(on)开通延迟时间
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4ns
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tr上升时间
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8ns
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td(off)关断延迟时间
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30ns
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tf下降时间
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10ns
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Qg总栅电荷(10V)
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18nC@VDS=20V,ID=30A,VGS=10V
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Qgs栅源电荷
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2.5nC@VDS=20V,ID=30A,VGS=10V
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Qgd栅漏电荷
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5nC@VDS=20V,ID=30A,VGS=10V
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IS连续体二极管正向电流
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30A
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ISM脉冲体二极管正向电流
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120A
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VSD二极管正向压降
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1.2V@ISD=20A,VGS=0V,Tj=25℃
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KNG8104A（DFN3*3封装）产品核心特点
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特点1
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极低导通电阻Rds(on)
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特点2
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低Crss，开关速度快
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特点3
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100%雪崩测试，可靠性高
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特点4
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增强dv/dt抗干扰能力
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KNG8104A（DFN3*3封装）应用领域
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应用场景1
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PWM电路应用
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应用场景2
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电源管理
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应用场景3
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负载开关
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同系列型号
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KNY8104A
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DFN5*6封装 N沟道MOS管
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KND8104A
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TO-252封装 N沟道MOS管
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KNG8104A（DFN3*3封装）平替替代型号
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平替型号
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AON6403
NTD4804N
AO3400(小电流备选)
SM4033
WSD4060
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KNG8104A（DFN3*3封装）介绍
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客户痛点解决
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低内阻降低发热，100%雪崩全检，减少炸管失效
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封装优势
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DFN3*3小体积，节省PCB布板空间
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开关性能
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低Crss，开关速度快，降低开关损耗
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供货支持
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可提供样品、技术支持，稳定供货
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