KND3404B TO-252 40V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
国产平替进口 MOS，交期稳，大功率开关器件
KND3404B，低阈值 mos管，3.3V 驱动 MOS，
TO252 80A mos管，电源开关 mos管，
KND3404B规格书
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KND3404B（TO-252封装）产品基础信息 KND3404B
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产品型号
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KND3404B
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封装
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TO-252
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沟道类型
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N-CHANNEL MOSFET
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VDSS漏源耐压
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40V
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ID连续漏极电流(25℃)
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80A
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ID连续漏极电流(100℃)
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58A
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IDP脉冲漏极电流
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320A
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RDS(ON)@VGS=10V,ID=30A
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5.0mΩ(典型值)
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RDS(ON)@VGS=4.5V,ID=30A
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5.5~8.0mΩ
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EAS单脉冲雪崩能量
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225mJ
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VGS栅源电压范围
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±20V
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Ptot功耗(25℃)
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92W
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结温&存储温度
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-55~150℃
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RθJA结到环境热阻
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94℃/W
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RθJC结到壳热阻
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1.37℃/W
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KND3404B（TO-252封装）静态电气参数
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BVDSS漏源击穿电压
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≥40V
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IDSS零栅压漏极电流25℃
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≤1μA
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IDSS零栅压漏极电流125℃
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≤10μA
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VGS(th)栅极阈值电压
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1.0~2.5V(典型1.8V)
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IGSS栅极漏电流
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≤100nA(典型1nA)
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gfs正向跨导
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110S
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动态参数
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RG栅极电阻
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2.0Ω
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Ciss输入电容
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2300pF
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Coss输出电容
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290pF
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Crss反向传输电容
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150pF
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td(on)开通延迟时间
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9.5ns
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tr上升时间
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30ns
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td(off)关断延迟时间
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55ns
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tf下降时间
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17.5ns
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KND3404B（TO-252封装）栅极电荷参数
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Qg总栅电荷
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47.5nC
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Qgs栅源电荷
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9.0nC
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Qgd栅漏电荷
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10.0nC
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KND3404B（TO-252封装）二极管特性
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VSD体二极管正向电压
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1.5V
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trr反向恢复时间
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20ns
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Qrr反向恢复电荷
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9.0nC
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KND3404B（TO-252封装）产品核心特点
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特点1
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CRM(CQ)先进沟槽MOS工艺
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特点2
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极低导通电阻Rds(on)
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特点3
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优异QgxRds(on)FOM优值
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特点4
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符合JEDEC标准可靠性认证
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KND3404B（TO-252封装）应用领域
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应用1
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电机控制与驱动
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应用2
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电池管理系统BMS
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应用3
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UPS不间断电源
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KND3404B（TO-252封装）平替替代型号
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替代型号
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AOD403
AOS403
NTD4960N
FDD8896
IRF3205S
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KND3404B（TO-252封装）营销介绍
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客户痛点
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大电流方案发热严重
进口料交期长价格高
电源系统损耗大
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产品优势
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TO-252贴片封装易焊接
5mΩ低内阻，温升更低
80A大电流，雪崩能力强
国产KIA，交期稳定
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