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KCY2704A DFN56 40V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-11 

KCY2704A DFN56 40V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

DFN5×6 贴片 MOS 管 低内阻大电流 国产替代优选

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KCY2704A规格书

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KCY2704A DFN5*6 N沟道MOS管

KCY2704A(DFN5*6 封装)产品基础信息
产品型号 KCY2704A
器件类型 N沟道增强型功率MOS管
封装 DFN5*6
品牌 KIA
工艺 LVMOS工艺
KCY2704A(DFN5*6 封装)引脚定义
引脚1,2,3 Source 源极
引脚4 Gate 栅极
引脚5,6,7,8 Drain 漏极
产品核心特性
特性说明 Rds(on)=1.25mΩ(典型值)@VGS=10V
低栅极电荷、低Crss
开关速度快
高dv/dt耐受能力
100%雪崩测试验证
无铅镀层,RoHS合规
优化制程,降低导通内阻
KCY2704A(DFN5*6 封装)最大额定参数(Tj=25℃)
漏源电压 VDSS 40V
栅源电压 VGSS -20V ~ +20V
连续漏极电流ID@Tc=25℃ 150A
连续漏极电流ID@Tc=100℃ 95A
脉冲漏极电流IDM 500A
总耗散功率PD@Tc=25℃ 104W
雪崩能量 EAS 266mJ
单脉冲电流 IAS 73A
结温工作范围 TJ -55℃ ~ 150℃
存储温度 TSTG -55℃ ~ 150℃
KCY2704A(DFN5*6 封装)热学参数
结到外壳热阻 RθJC 1.2 ℃/W
结到环境热阻 RθJA 50 ℃/W
回流焊温度TSMD 260℃
KCY2704A(DFN5*6 封装)电气特性(Tj=25℃)
漏源击穿电压 BVDSS 40V(VGS=0V,ID=250μA)
零栅压漏极电流IDSS@25℃ 1μA Max
零栅压漏极电流IDSS@125℃ 2μA Max
栅体漏电流 IGSS ±100nA(VGS=±20V,VDS=0V)
栅极阈值电压VGS(th) 1.4~2.4V,典型2V
导通电阻Rds(on)@VGS=10V,ID=50A 典型1.25mΩ,最大1.45mΩ
导通电阻Rds(on)@VGS=4.5V,ID=50A 典型1.65mΩ,最大2.1mΩ
栅极电阻Rg@F=1MHz 2.6Ω
输入电容Ciss@VDS=20V,f=1MHz 5700pF
输出电容Coss@VDS=20V,f=1MHz 1650pF
反向传输电容Crss@VDS=20V,f=1MHz 43pF
开通延迟时间 td(on) 22ns
上升时间 tr 64ns
关断延迟时间 td(off) 87ns
下降时间 tf 28ns
总栅电荷Qg@VGS=10V,ID=50A 88nC
栅源电荷Qgs 30nC
栅漏电荷Qgd 9.4nC
栅极平台电压Vplateau 4.6V
二极管连续正向电流Is 150A
二极管脉冲正向电流Is(pulse) 500A
二极管正向电压VSD@Is=100A 1.4V
反向恢复时间 trr 67ns
反向恢复电荷Qrr 73nC
KCY2704A(DFN5*6 封装)应用领域
适用场景 UPS电源、逆变器系统、电机驱动
AI机器人关节、快充、大电流电源

KCY2704A(DFN5*6 封装)平替替代型号清单

KCY2704A

替代型号 FDMS86108
BSC014N04LS
NVTFS5811NL
IRL60S422
SI7148DP
AON6414A
KCY2704A(DFN5*6 封装)产品营销推广卖点
客户痛点解决 1.极低导通内阻,降低发热损耗
2.DFN5*6小封装,节省PCB板空间
3.低栅电荷,高速开关,提升转换效率
4.100%雪崩测试,抗冲击可靠性强
5.国产替代,交期稳定,性价比高
产品优势 LVMOS先进工艺,大电流承载150A
40V耐压,适配低压大电流电源设计
RoHS无铅,满足工业及消费类认证
优异热性能,适合高密度功率板

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KCY2704A

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