KNY2404A DFN56 40V190A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
超低 Rds (on) 大电流 DFN56 贴片 MOS 管，国产现货
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大功率贴片 MOS管，KIA-MOS管，低内阻 MOS管，UPS 电源 MOS管
KNY2404A规格书
KNY2404A N沟道MOS管参数详情
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产品基础信息
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产品型号
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KNY2404A
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封装
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DFN5*6
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类型
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N-CHANNEL N沟道MOS管
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额定电压VDS
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40V
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连续漏极电流ID
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190A(Tc=25℃)
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脉冲漏极电流IDP
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760A(300us脉冲)
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产品特点
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核心特性1
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Rds(on)典型值2.2mΩ @VGS=10V
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核心特性2
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超高密度单元芯片设计
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核心特性3
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超低导通电阻，降低发热损耗
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核心特性4
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100%雪崩能量EAS测试筛选
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核心特性5
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无铅环保，符合RoHS规范
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应用领域
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适用场景1
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DC-DC转换器、离线UPS电源
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适用场景2
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各类大功率开关电路方案
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引脚定义
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引脚1
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Gate（栅极G）
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引脚2
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Drain（漏极D）
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引脚3
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Source（源极S）
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引脚4
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Drain（漏极D）
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最大额定参数(Tc=25℃)
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VDS 漏源电压
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40V
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VGS 栅源电压
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±20V
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存储/工作结温范围
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-55℃ ~ +175℃
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Is二极管正向连续电流
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190A
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ID连续漏极电流25℃
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190A
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ID连续漏极电流100℃
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146A
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EAS单脉冲雪崩能量
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812mJ
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PD功耗 Tc=25℃
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325W
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PD功耗 Tc=100℃
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162.5W
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热特性参数
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θJC 结到壳热阻
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0.5 ℃/W
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电气特性(Tc=25℃)
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BVDSS漏源击穿电压
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40V(VGS=0V,ID=250μA)
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IDSS漏源漏电流
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最大1μA@VDS=40V,VGS=0V
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IGSS栅源漏电流
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±100nA最大@VGS=±20V
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VGS(th)栅极阈值电压
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2.0~4.0V，典型3.0V
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Rds(on)导通电阻
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典型2.2mΩ，最大3.5mΩ
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VSD源漏二极管正向电压
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最大1.2V(IS=75A)
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trr反向恢复时间
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典型40ns
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Qrr反向恢复电荷
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典型52nC
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Rg栅极电阻
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典型1.2Ω
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Ciss输入电容
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典型4800pF
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Coss输出电容
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典型950pF
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Crss反向传输电容
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典型480pF
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Qg总栅电荷
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典型120nC
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Qgs栅源电荷
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典型34nC
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Qgd米勒电荷
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典型46nC
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td(on)开通延迟时间
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典型19ns
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tr上升时间
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典型96ns
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td(off)关断延迟时间
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典型70ns
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tf下降时间
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典型50ns
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产品营销卖点
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卖点1
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DFN5*6贴片小封装，节省PCB空间
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卖点2
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超低导通内阻，大电流工况发热更低
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卖点3
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高雪崩耐量，抗冲击，可靠性强
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卖点4
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国产KIA品牌，现货稳定支持试样
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卖点5
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适配大功率电源、UPS、DC-DC方案
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平替替代型号清单
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可直接平替型号
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IRL3803S
AOT400
NTB40N19
SI7461DP
FDMS8610
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