KCT1704A TOLL-8 40V260A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
SGT 工艺低内阻大功率 MOS 管,BMS 专用国产平替
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KCT1704A规格书
KCT1704A TOLL-8 N沟道MOS管产品详情
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产品基础信息
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产品型号
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KCT1704A
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封装
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TOLL-8
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产品类型
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N-CHANNEL MOSFET N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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核心规格
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40V,260A,SGT工艺
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产品特点 Features
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特性清单
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采用先进SGT技术
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VDS=40V,ID=260A
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Rds(on)典型1.1mΩ@VGS=10V
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自研高密度沟槽技术
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RoHS合规,无卤素
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应用领域 Application
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适用场景
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BMS电池管理系统
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负载开关 Load Switch
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无刷直流电机控制
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引脚定义 Pin configuration
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引脚功能
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1:Gate栅极
9:Drain漏极
2,3,4,5,6,7,8:Source源极
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最大额定参数 Absolute maximum ratings
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VDS 漏源电压
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40V
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VGS 栅源电压
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±20V
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连续漏极电流ID(25℃)
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260A(VGS@10V)
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连续漏极电流ID(100℃)
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169A(VGS@10V)
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脉冲漏极电流IDM
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1052A
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功耗PD(25℃)
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164W
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功耗PD(100℃)
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2.55W
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单脉冲雪崩能量EAS
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551mJ
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结温&存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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热特性 Thermal characteristics
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RθJC 结到壳热阻
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0.76 ℃/W
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RθJA 结到环境热阻
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49 ℃/W(1英寸PCB)
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电气特性 Electrical characteristics(Tc=25℃)
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BVDSS 漏源击穿电压
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40V min
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IDSS 零栅压漏极电流
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1μA max@VDS=40V
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IGSS 栅源漏电流
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±100nA max@VGS=±20V
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VGS(th) 栅极阈值电压
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1.0~2.4V
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Rds(on)@VGS=10V,ID=60A
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1.1mΩ典型,1.6mΩ最大
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Rds(on)@VGS=4.5V,ID=20A
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1.43mΩ典型
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跨导gfs
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225S
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Ciss输入电容
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8200pF(VGS=0V,VDS=20V,f=100KHz)
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Coss输出电容
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1500pF
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Crss反向传输电容
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1450pF
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Qg栅总电荷
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210nC
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Qgs栅源电荷
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22nC
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Qgd栅漏电荷
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75nC
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开通延迟时间td(on)
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50ns
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上升时间tr
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175ns
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关断延迟td(off)
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300ns
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下降时间tf
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250ns
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RG栅极电阻
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0.7Ω
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IS 连续体二极管正向电流
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188A
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ISM脉冲体二极管电流
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1052A
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VSD体二极管正向电压
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0.78V@IS=50A,Tj=25℃
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平替替代型号清单
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可替代型号(竖排)
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FDMS8625
IRL40S205
BSC010N04LS
NCEP40T26
AON6406
PMV60XP
SI7456DP
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产品营销推广文案
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卖点介绍
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KCT1704A TOLL-8 N沟道MOS管,采用SGT先进工艺,
1.1mΩ超低导通内阻,260A超大电流承载。
极低损耗,解决BMS、
电机驱动发热痛点;
高雪崩耐量,器件可靠性强,无卤素环保,
国产KIA现货供应,支持样品测试,可直接平替进口大功率MOS管。
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联系方式:邹先生
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