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KCT1704A TOLL-8 40V260A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-11 

KCT1704A TOLL-8 40V260A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

SGT 工艺低内阻大功率 MOS 管,BMS 专用国产平替

KCT1704A

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KCT1704A规格书

KCT1704A规格书


KCT1704A TOLL-8 N沟道MOS管产品详情

产品基础信息
产品型号 KCT1704A
封装 TOLL-8
产品类型 N-CHANNEL MOSFET N沟道MOS管
品牌 KIA
核心规格 40V,260A,SGT工艺
产品特点 Features
特性清单
  • 采用先进SGT技术
  • VDS=40V,ID=260A
  • Rds(on)典型1.1mΩ@VGS=10V
  • 自研高密度沟槽技术
  • RoHS合规,无卤素
应用领域 Application
适用场景
  • BMS电池管理系统
  • 负载开关 Load Switch
  • 无刷直流电机控制
引脚定义 Pin configuration
引脚功能 1:Gate栅极
9:Drain漏极
2,3,4,5,6,7,8:Source源极
最大额定参数 Absolute maximum ratings
VDS 漏源电压 40V
VGS 栅源电压 ±20V
连续漏极电流ID(25℃) 260A(VGS@10V)
连续漏极电流ID(100℃) 169A(VGS@10V)
脉冲漏极电流IDM 1052A
功耗PD(25℃) 164W
功耗PD(100℃) 2.55W
单脉冲雪崩能量EAS 551mJ
结温&存储温度 -55℃ ~ +150℃
热特性 Thermal characteristics
RθJC 结到壳热阻 0.76 ℃/W
RθJA 结到环境热阻 49 ℃/W(1英寸PCB)
电气特性 Electrical characteristics(Tc=25℃)
BVDSS 漏源击穿电压 40V min
IDSS 零栅压漏极电流 1μA max@VDS=40V
IGSS 栅源漏电流 ±100nA max@VGS=±20V
VGS(th) 栅极阈值电压 1.0~2.4V
Rds(on)@VGS=10V,ID=60A 1.1mΩ典型,1.6mΩ最大
Rds(on)@VGS=4.5V,ID=20A 1.43mΩ典型
跨导gfs 225S
Ciss输入电容 8200pF(VGS=0V,VDS=20V,f=100KHz)
Coss输出电容 1500pF
Crss反向传输电容 1450pF
Qg栅总电荷 210nC
Qgs栅源电荷 22nC
Qgd栅漏电荷 75nC
开通延迟时间td(on) 50ns
上升时间tr 175ns
关断延迟td(off) 300ns
下降时间tf 250ns
RG栅极电阻 0.7Ω
IS 连续体二极管正向电流 188A
ISM脉冲体二极管电流 1052A
VSD体二极管正向电压 0.78V@IS=50A,Tj=25℃

平替替代型号清单

KCT1704A

可替代型号(竖排) FDMS8625
IRL40S205
BSC010N04LS
NCEP40T26
AON6406
PMV60XP
SI7456DP
产品营销推广文案
卖点介绍

KCT1704A TOLL-8 N沟道MOS管,采用SGT先进工艺,

 1.1mΩ超低导通内阻,260A超大电流承载。 极低损耗,解决BMS、

电机驱动发热痛点; 高雪崩耐量,器件可靠性强,无卤素环保, 

国产KIA现货供应,支持样品测试,可直接平替进口大功率MOS管。

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KCT1704A

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902




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