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KNB1403A N沟道功率MOS管｜TO-263封装 250A 30V
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品牌：KIA｜型号：KNB1403A｜封装：TO-263
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一、KNB1403A（TO-263封装）订购信息
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零件号
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封装
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品牌
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备注
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KNB1403A
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TO-263
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KIA
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N-Channel Power MOSFET
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二、KNB1403A（TO-263封装）最大额定参数（TA=25℃）
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压(VGS=0V)
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VDS
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30
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V
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栅源电压(VDS=0V)
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VGS
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±20
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V
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连续漏极电流(Tc=25℃)
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ID
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250
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A
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连续漏极电流(Tc=100℃)
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ID
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158
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A
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脉冲漏极电流
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IDM
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1000
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A
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总功耗(Tc=25℃)
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PD
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187.5
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W
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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1600
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mJ
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结温&存储温度范围
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TJ,TSTG
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-55~150
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℃
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三、KNB1403A（TO-263封装）热特性
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参数名称
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符号
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最大值
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单位
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结到外壳热阻
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RθJC
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0.8
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℃/W
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四、KNB1403A（TO-263封装）电气特性（TA=25℃）
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参数名称
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符号
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条件
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规格
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漏源击穿电压
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BVDSS
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VGS=0V,ID=250uA
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Min:30V
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漏源漏电流
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IDSS
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VDS=30V,VGS=0V
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Max:1uA
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=±20V,VDS=0V
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Max:±100nA
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栅极阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250uA
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1.0~2.5V,Typ:1.5V
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导通电阻
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RDS(ON)
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VGS=10V,ID=30A
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Max:1.5mΩ,Typ:1.2mΩ
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导通电阻
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RDS(ON)
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VGS=4.5V,ID=20A
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Max:2.0mΩ,Typ:1.5mΩ
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栅极电阻
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Rg
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VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
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Typ:0.7Ω
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输入电容
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Ciss
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VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
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Typ:13280pF
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输出电容
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Coss
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VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
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Typ:1500pF
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反向传输电容
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Crss
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VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
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Typ:1340pF
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开通延迟时间
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td(on)
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VDS=15V,VGS=10V,Rg=3Ω,ID=30A
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Typ:28ns
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上升时间
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tr
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VDS=15V,VGS=10V,Rg=3Ω,ID=30A
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Typ:75ns
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关断延迟时间
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td(off)
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VDS=15V,VGS=10V,Rg=3Ω,ID=30A
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Typ:190ns
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下降时间
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tf
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VDS=15V,VGS=10V,Rg=3Ω,ID=30A
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Typ:100ns
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总栅电荷
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Qg
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VDS=15V,VGS=10V,ID=30A
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Typ:276nC
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栅源电荷
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Qgs
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VDS=15V,VGS=10V,ID=30A
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Typ:32nC
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栅漏电荷
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Qgd
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VDS=15V,VGS=10V,ID=30A
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Typ:42nC
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体二极管连续电流
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ISD
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VGS=0V
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250A
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二极管正向电压
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VSD
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ISD=30A,TJ=25℃
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Typ:1.2V
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反向恢复时间
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trr
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TJ=25℃,IF=30A,di/dt=100A/μs
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Typ:55ns
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反向恢复电荷
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Qrr
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TJ=25℃,IF=30A,di/dt=100A/μs
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Typ:36nC
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五、KNB1403A（TO-263封装）产品优势与应用场景
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核心优势
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超低导通电阻、大电流承载、低栅电荷、散热优异，雪崩耐量高
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适用场景
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BMS电池保护板、大电流电源、DC-DC、电机驱动、储能设备
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六、KNB1403A（TO-263封装）平替替代型号清单
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平替型号
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IRF1403
AOD1403
NTD1403
SM1403
FDD1403
SI1403
PMV1403
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