KPD9106A TO-252 -60V-40A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻高雪崩耐量 BMS 保护板电源开关专用 Pmos管
KPD9106A，P 沟道 mos管，TO-252，-60V -40A mos管，
BMS 保护板 mos管，电源开关 pmos管，KIA MOS管
KPD9106A规格书
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KPD9106A（T0-252封装）产品概述
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型号
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KPD9106A
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类型
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P沟道MOS管
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封装
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TO-252
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品牌
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KIA
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VDS漏源击穿电压
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-60V
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连续漏极电流Id(25℃)
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-40A
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连续漏极电流Id(100℃)
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-25A
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脉冲漏极电流IDM
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-160A
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Rds(on)典型值
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25mΩ@VGS=-10V,Id=-15A
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最大耗散功率PD(25℃)
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100W
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单脉冲雪崩能量EAS
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330mJ
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工作结温/存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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结到壳热阻RθJC
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Max 1.5 ℃/W
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KPD9106A（T0-252封装）核心特性
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特性1
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超低栅极电荷
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特性2
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CdV/dt抑制效果优异
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特性3
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高密度沟槽工艺
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特性4
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环保无铅器件可选
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KPD9106A（T0-252封装）引脚定义 TO-252
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Pin1
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Gate 栅极(G)
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Pin2
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Drain 漏极(D)
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Pin3
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Source 源极(S)
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KPD9106A（T0-252封装）电气参数（25℃）
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IDSS漏源漏电流
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Max -1uA，VDS=-60V
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IGSS栅体漏电流
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±100nA Max，VGS=±20V
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VGS(TH)阈值电压
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-1.0~-2.5V，典型-1.8V
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Rds(on)@VGS=-4.5V
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31mΩ典型，40mΩ最大
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Rg栅极电阻
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典型5Ω
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Ciss输入电容
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3475pF典型
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Coss输出电容
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145pF典型
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Crss反向传输电容
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130pF典型
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Qg总栅电荷
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63nC典型
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Qgs栅源电荷
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8.5nC典型
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Qgd栅漏电荷
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12.5nC典型
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VSD体二极管正向电压
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典型-1.2V，ISD=-20A
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KPD9106A（T0-252封装）开关时序参数
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td(on)开通延迟时间
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11.5ns
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tr上升时间
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9ns
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td(off)关断延迟时间
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62ns
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tf下降时间
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13ns
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KPD9106A（T0-252封装）应用领域
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场景1
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锂电池BMS保护板，电源开关
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场景2
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DC-DC降压/升压电源，负载开关
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场景3
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电机驱动，反向防倒灌电路
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场景4
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车载小家电，便携储能设备
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KPD9106A（T0-252封装）客户痛点解决
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痛点1
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低内阻，降低导通发热损耗
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痛点2
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低栅荷，高速开关，降低开关损耗
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痛点3
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高雪崩耐量，抗冲击，可靠性强
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痛点4
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TO-252贴装，方便PCB批量生产
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平替替代型号清单
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FQD40P06
IRF4905S
AOD406
AP40P06S
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