KCT1004M TOLL-8 40V-320A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
SGT 低内阻大功率 MOS 储能 BMS 电机驱动专用
KCT1004M，TOLL-8 mos管，40V320A N 沟道 mos管，SGT MOSFET，
储能 BMS 大功率 mos管，KIA 可易亚半导体
KCT1004M规格书
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KCT1004M N沟道SGT MOSFET 产品总览
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型号
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KCT1004M
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封装
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TOLL-8
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通道类型
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N-CHANNEL N沟道
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工艺
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Advanced SGT 沟槽工艺
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品牌
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KIA 可易亚半导体
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核心特点
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低导通电阻、超低栅电荷，100%雪崩测试
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应用场景
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DC-DC转换器、电机驱动、电池管理BMS
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最大额定参数(Absolute maximum ratings,25℃)
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漏源电压 VDSS
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40V
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栅源电压 VGSS
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±20V
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连续漏极电流 ID
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320A
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脉冲漏极电流 IDM
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1200A
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二极管连续正向电流 IS
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320A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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564mJ
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功耗 PD
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300W
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最高结温 TJ
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150℃
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存储温度范围 TSTG
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-55℃ ~ 150℃
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热学参数 Thermal Data
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结到壳热阻 RθJC
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0.42 ℃/W
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电气特性参数(25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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40V(最小)
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漏源漏电流 IDSS
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1μA(最大)
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栅极漏电流 IGSS
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±100nA(最大)
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栅阈值电压 VGS(th)
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1.2~2.5V
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导通电阻 RDS(on)@VGS=10V,ID=75A
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典型0.62mΩ，最大0.9mΩ
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导通电阻 RDS(on)@VGS=4.5V,ID=20A
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最大1.6mΩ
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输入电容 Ciss
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9530pF
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输出电容 Coss
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2050pF
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反向传输电容 Crss
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85pF
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总栅电荷 Qg
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160nC
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栅源电荷 Qgs
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50nC
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栅漏电荷 Qgd
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38nC
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开通延迟时间 td(on)
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24nS
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上升时间 tr
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15nS
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关断延迟时间 td(off)
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96nS
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下降时间 tf
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18nS
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正向电压 VSD
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1.2V
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引脚定义 TOLL-8
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin9
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Drain 漏极
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Pin2,3,4,5,6,7,8
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Source 源极
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产品营销卖点
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核心优势
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SGT先进工艺，极低内阻，导通损耗小
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驱动优势
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超低栅电荷，降低驱动电路负荷
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可靠性
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100%雪崩测试，抗冲击，不易炸管
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客户痛点解决
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大电流工况发热严重、开关损耗高、雪崩易损坏
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适用行业
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储能BMS、大功率DC-DC、大功率电机驱动
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平替替代型号清单
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兼容平替型号
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IRF系列TOLL-8
N沟道40V320A MOS管
英飞凌TOLL8低阻MOS
安森美TOLL-8大电流MOS
国产同规格SGT TOLL8 MOS
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