KND8606B TO-252 60V35A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-09-15
KND8606B TO-252 60V35A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻 15mΩ 低栅电荷 开关电源 / 电机驱动专用场效应管
KND8606B，TO-252 MOS管，60V35A N 沟道 MOS管，
低内阻场效应管，开关电源 MOS管，电机驱动 MOS管，KIA MOS管
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| KND8606B（TO-252封装）产品简介 Description | |
|---|---|
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采用KIA先进平面条纹DMOS工艺，低导通电阻，开关性能优异。 可承受雪崩与换相模式高能脉冲，适合低压DC-DC转换器、便携电池类电源管理。 |
| KND8606B（TO-252封装）产品特点 Features | |
|---|---|
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| 引脚定义 Pin configuration TO-252 | |||
|---|---|---|---|
| 引脚号 | 功能 | 符号 | 备注 |
| 1 | Gate | G | 栅极 |
| 2 | Drain | D | 漏极 |
| 3 | Source | S | 源极 |
| KND8606B（TO-252封装）订购信息 Ordering Information | ||
|---|---|---|
| 料号 | 封装 | 品牌 |
| KND8606B | TO-252 | KIA |
| KND8606B（TO-252封装）最大额定参数 Absolute maximum ratings（TC=25℃） | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | Vdss | - | 60 | V |
| 漏极电流 | Id | Tc=25℃ | 35 | A |
| 漏极电流 | Id | Tc=100℃ | 22 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | - | 80 | A |
| 栅源电压 | Vgss | - | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 450 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | - | 35 | A |
| 重复雪崩能量 | EAR | - | 12 | mJ |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | - | 4.5 | V/ns |
| 功耗 | Pd | Tc=25℃ | 60 | W |
| 功耗降额 | - | 25℃以上 | 0.8 | W/℃ |
| 工作/存储温度 | Tj,Tstg | - | -55~+175 | ℃ |
| 引脚焊接温度 | TL | 5秒 | 300 | ℃ |
| KND8606B（TO-252封装）热特性 Thermal characteristics | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
| 结到壳热阻 | RθJC | 2.5 | ℃/W |
| 壳到散热器热阻 | RθJS | - | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| KND8606B（TO-252封装）电气特性 Electrical characteristics（TJ=25℃） | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,Id=250uA | 60 | - | - | V |
| 击穿电压温度系数 | ΔBVdss/ΔTJ | Id=250uA,参考25℃ | - | 0.06 | - | V/℃ |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=60V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 零栅压漏电流 | Idss | Vds=48V,Tc=150℃ | - | - | 10 | uA |
| 栅极正向漏电流 | IgssF | Vgs=20V,Vds=0V | - | - | 100 | nA |
| 栅极反向漏电流 | IgssR | Vgs=-20V,Vds=0V | - | - | -100 | nA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| 静态漏源导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=20A | - | 15 | 20 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | Vds=25V,Id=25A | - | 22 | - | S |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 2800 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 200 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz | - | 100 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=30V,Id=25A,Rg=25Ω | - | 15 | - | ns |
| 开通上升时间 | tr | Vdd=30V,Id=25A,Rg=25Ω | - | 105 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=30V,Id=25A,Rg=25Ω | - | 60 | - | ns |
| 关断下降时间 | tf | Vdd=30V,Id=25A,Rg=25Ω | - | 65 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=48V,Id=25A,Vgs=10V | - | 33 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=48V,Id=25A,Vgs=10V | - | 8.5 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=48V,Id=25A,Vgs=10V | - | 14 | - | nC |
| 体二极管连续正向电流 | Is | - | - | - | 35 | A |
| 体二极管脉冲正向电流 | IsM | - | - | - | 80 | A |
| 体二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V,Is=35A | - | - | 1.4 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Vgs=0V,Is=35A,di/dt=100A/us | - | 60 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Vgs=0V,Is=35A,di/dt=100A/us | - | 80 | - | nC |
| KND8606B（TO-252封装）应用领域 Application | |
|---|---|
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DC-DC转换器、便携式设备、电池供电产品、电源管理、 高速开关电源、LED驱动、电机控制 |
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KND8606B（TO-252封装）平替替代型号清单
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|---|---|
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IRF3205 IRL540N NTD4960N FDD8606 AOD4184 STD35N60 SUD50N06 |
TO-252封装，35A 60V等级 N沟道低压大电流mos管 可直接替换KND8606B |
| KND8606B（TO-252封装）产品营销卖点 | |
|---|---|
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?KIA原厂KND8606B，TO-252贴片，35A 60V N沟道mos管 ?低导通电阻Rds(on)典型15mΩ，发热低，转换效率高 ?栅电荷低33nC，开关速度快，适合高频电源方案 ?100%雪崩测试，抗冲击能力强，可靠性稳定 ?TO-252封装，贴片SMT，便于自动化贴装生产 ?现货稳定，支持样品，可配套电源方案技术支持 |
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