KIA50N06BD TO-252 60V50A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
10.5mΩ 低内阻高雪崩，电源 BMS 专用 MOS管
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BMS MOS管，UPS 电源 MOS管，KIA-MOS管
KIA50N06BD规格书
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KIA50N06BD（TO-252封装）产品基础信息
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产品型号
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KIA50N06BD
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封装形式
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TO-252
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产品类型
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N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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Vds漏源电压
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60V
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Id连续漏极电流(25℃)
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50A
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Id连续漏极电流(100℃)
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35A
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Idp脉冲漏极电流
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250A
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Rds(on)导通电阻
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10.5mΩ@Vgs=10V
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Vgs栅源电压
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±25V
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IAS雪崩电流
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15A
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EAS雪崩能量
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120mJ
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Pd功耗(25℃)
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88W
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Pd功耗(100℃)
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44W
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结温/存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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KIA50N06BD（TO-252封装）热学参数
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RθJA结到环境热阻
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100℃/W(TO-252)
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RθJC结到壳热阻
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1.1℃/W(TO-252)
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KIA50N06BD（TO-252封装）电气特性参数
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BVdss漏源击穿电压
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60V@Vgs=0V,Id=250uA
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Idss零栅压漏极电流
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≤1uA@Vds=48V,Vgs=0V
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Vgs(th)栅极阈值电压
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2~4V,典型3V
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Igss栅极漏电流
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±100nA@Vgs=±25V,Vds=0V
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Rg栅极内阻
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典型1Ω
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Ciss输入电容
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2060pF@Vds=25V,1MHz
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Coss输出电容
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755pF@Vds=25V,1MHz
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Crss反向传输电容
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375pF@Vds=25V,1MHz
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td(on)开通延迟时间
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14ns
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tr上升时间
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13ns
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td(off)关断延迟时间
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20ns
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tf下降时间
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7.5ns
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Qg总栅电荷
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50nC@Vds=48V,Id=30A
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Qgs栅源电荷
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12nC@Vds=48V,Id=30A
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Qgd栅漏电荷
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17nC@Vds=48V,Id=30A
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Vsd体二极管正向电压
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0.8~1.3V@Isd=30A
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trr反向恢复时间
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32ns@If=30A
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Qrr反向恢复电荷
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60nC@If=30A
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KIA50N06BD（TO-252封装）产品特性
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核心优势
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低Rds(on)，降低导通损耗
高雪崩电流，抗冲击能力强
无铅环保，符合RoHS标准
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应用领域
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开关电源、UPS不间断电源
电池管理系统BMS
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KIA50N06BD（TO-252封装）引脚定义
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Pin1
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Gate栅极
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Pin2
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Drain漏极
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Pin3
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Source源极
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KIA50N06BD（TO-252封装）同系列型号
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KIA50N06BU
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TO-251封装
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KIA50N06BP
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TO-220封装
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KIA50N06BD（TO-252封装）平替替代型号清单
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替代型号
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50N06
NTD50N06
IRF540N
FQD50N06
STB50N06
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