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项目
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参数详情
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产品型号
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KIA50N06BP
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封装
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TO-220
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产品类型
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N沟道MOS管
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KIA50N06BP（TO-220封装）订购信息（同系列型号）
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KIA50N06BD
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TO-252
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KIA50N06BU
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TO-251
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KIA50N06BP
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TO-220
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产品特性
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导通电阻
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Rds(on)=10.5mΩ@VGS=10V
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环保属性
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无铅绿色器件
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核心优势
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低Rds(on)降低导通损耗；高雪崩电流
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应用领域
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适用场景
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电源供应器、UPS、电池管理系统BMS
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KIA50N06BP（TO-220封装）最大额定参数 TA=25℃
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漏源电压 VDSS
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60V
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栅源电压 VGSS
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±25V
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连续漏极电流Id@Tc=25℃
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50A
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连续漏极电流Id@Tc=100℃
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35A
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脉冲漏极电流 IDP
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250A
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雪崩电流 IAS
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15A
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雪崩能量 EAS
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120mJ
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最大耗散功率 PD@Tc=25℃
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120W
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最大耗散功率 PD@Tc=100℃
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44W
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结温&存储温度 TJ,TSTG
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-55 ~ 150℃
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KIA50N06BP（TO-220封装）热特性
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结到环境热阻 RθJA
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62.5 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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1.7 ℃/W
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KIA50N06BP（TO-220封装）电气特性 TA=25℃
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漏源击穿电压 BVDSS
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60V,VGS=0V,ID=250uA
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零栅压漏极电流 IDSS
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1uA(VDS=48V);20uA@TJ=125℃
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栅极阈值电压 VGS(th)
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2~4V，典型3V，ID=250uA
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栅漏电流 IGSS
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±100nA @VGS=±25V,VDS=0V
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漏源导通电阻 Rds(on)
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10.5mΩ典型，12.5mΩ最大
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栅极电阻 Rg
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1Ω
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输入电容 Ciss
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2060pF,VDS=25V,VGS=0V,1MHz
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输出电容 Coss
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755pF,VDS=25V,VGS=0V,1MHz
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反向传输电容 Crss
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375pF,VDS=25V,VGS=0V,1MHz
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开通延迟时间 td(on)
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14ns VDD=30V,ID=30A,RG=5Ω
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上升时间 tr
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13ns VDD=30V,ID=30A,RG=5Ω
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关断延迟时间 td(off)
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20ns VDD=30V,ID=30A,RG=5Ω
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下降时间 tf
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7.5ns VDD=30V,ID=30A,RG=5Ω
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总栅电荷 Qg
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50nC VDS=48V,VGS=10V,ID=30A
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栅源电荷 Qgs
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12nC VDS=48V,VGS=10V,ID=30A
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栅漏电荷 Qgd
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17nC VDS=48V,VGS=10V,ID=30A
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源漏二极管正向电压 VSD
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0.8V典型，1.3V最大，ISD=30A
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二极管连续正向电流 IS
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50A
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反向恢复时间 trr
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32ns IF=30A,dI/dt=100A/us
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反向恢复电荷 Qrr
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60nC IF=30A,dI/dt=100A/us
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KIA50N06BP（TO-220封装）引脚定义 TO-220
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引脚1
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Gate 栅极
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引脚2
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Drain 漏极
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引脚3
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Source 源极
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KIA50N06BP（TO-220封装）平替替代型号清单
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平替型号
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IRFZ44N
IRL540N
NTD4960N
FQP50N06
SPP50N06
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KIA50N06BP（TO-220封装）产品营销卖点
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核心卖点
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60V 50A大电流，低导通内阻，发热小
高雪崩抗冲击，浪涌防护强
TO-220直插封装，散热性能优异
电源、UPS、BMS电池管理专用MOS管
原厂现货，支持样品测试
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