广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

KIA50N06CD TO-252 60V50A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-16 

KIA50N06CD TO-252 60V50A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

低内阻低栅电荷 TO-252 贴片 MOS 管 电源电机驱动优选

KIA50N06CD

KIA50N06CD,TO-252MOS管,60V50A N 沟道 MOS管,贴片 MOS管,

电源 MOS管,电机驱动 MOS管

KIA50N06CD规格书

KIA50N06CD规格书

KIA50N06CD TO-252 N沟道mos管

产品简介|KIA50N06CD(TO-252)N沟道mos管
产品型号 KIA50N06CD 封装 TO-252
产品描述 KIA50N06CD是N沟道增强型功率mos管,采用KIA LVmos管工艺,优化元胞结构,降低导通电阻,开关性能优异,应用于UPS、电源管理、逆变系统。
核心特性 Rds(on)=11mΩ(典型值)@VGS=10V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
增强dv/dt耐受能力
KIA50N06CD(TO-252封装)引脚定义
引脚号TO-252 功能 符号 说明
1 栅极 Gate(G) 控制mos管导通与关断
2 漏极 Drain(D) 主电流输入
3 源极 Source(S) 主电流输出
KIA50N06CD(TO-252封装)最大额定参数(Tc=25℃)
参数名称 符号 参数值 单位
漏源电压 Vdss 60 V
连续漏极电流(Tc=25℃) Id 50 A
连续漏极电流(Tc=100℃) Id 30 A
脉冲漏极电流 Idm 200 A
栅源电压 Vgs ±20 V
单脉冲雪崩能量 Eas 405 mJ
功耗(Tc=25℃) Pd 90 W
降额系数(>25℃) - 0.72 W/℃
工作/存储温度 Tj,Tstg -55 ~ +150 ℃
KIA50N06CD(TO-252封装)热学参数
参数名称 符号 参数值 单位
结到外壳热阻 Rθjc 1.39 ℃/W
结到环境热阻 Rθja 62.5 ℃/W
KIA50N06CD(TO-252封装)电气特性参数(TA=25℃)
参数名称 符号 测试条件 Min/Typ/Max 单位
漏源击穿电压 Bvdss Vgs=0V,Id=250uA Min:60 V
漏源漏电流 Idss Vds=60V,Vgs=0V Max:1 uA
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 1.1~1.6~2.5 V
漏源导通电阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=20A Typ:11 Max:13 mΩ
栅极电阻 Rg f=1.0MHz Typ:3.5 Ω
输入电容 Ciss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz Typ:2450 pF
输出电容 Coss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz Typ:170 pF
反向传输电容 Crss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz Typ:130 pF
开通延迟时间 Td(on) Vdd=30V,Vgs=10V,Id=30A,Rg=25Ω Typ:15 ns
上升时间 Tr Vdd=30V,Vgs=10V,Id=30A,Rg=25Ω Typ:72 ns
关断延迟时间 Td(off) Vdd=30V,Vgs=10V,Id=30A,Rg=25Ω Typ:180 ns
下降时间 Tf Vdd=30V,Vgs=10V,Id=30A,Rg=25Ω Typ:79 ns
总栅极电荷 Qg Vdd=48V,Id=60A,Vgs=10V Typ:52 nC
栅源电荷 Qgs Vdd=48V,Id=60A,Vgs=10V Typ:11 nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=48V,Id=60A,Vgs=10V Typ:12 nC
连续源极电流 Is 体二极管 50 A
脉冲源极电流 Ism 体二极管 200 A
体二极管正向压降 Vsd Vgs=0V,Is=20A Typ:1.4 V
反向恢复时间 Trr Vgs=0V,Is=30A,di/dt=100A/us Typ:20 ns
反向恢复电荷 Qrr Vgs=0V,Is=30A,di/dt=100A/us Typ:0.02 uC

KIA50N06CD(TO-252封装)平替替代型号清单

KIA50N06CD

平替型号 说明
IRF540N 60V 33A TO252 N沟道mos管
IRLR3105 55V 56A TO252 N沟道mos管
STD50N06 60V 50A TO252 N沟道mos管
NTD50N06 60V 50A TO252 N沟道mos管
AP50N06H 60V 50A TO252 N沟道mos管
FDD50N06 60V 50A TO252 N沟道mos管
KIA50N06CD(TO-252封装)产品营销|应用领域
产品卖点 低导通电阻,降低发热损耗
栅电荷低,开关速度快,效率高
优异dv/dt抗干扰,工作稳定
TO-252贴片封装,便于SMT量产
国产原厂供货,交期稳定,支持试样
典型应用 UPS不间断电源
逆变电源系统
DC-DC电源管理
电机驱动
开关电源、充电器

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

申请样品、下载规格书、在线询价

参数、规格书、样品申请

KIA50N06CD

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902






s