KND3306B TO-252 68V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
7mΩ 低内阻贴片 MOS 管 高雪崩 电源 DC-DC 专用
KND3306B,TO-252MOS管，68V80A N 沟道 MOS管，贴片 MOS管，
电源 MOS管，低内阻 MOS管
KND3306B规格书
KND3306B TO-252 N沟道MOS管
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KND3306B（TO-252）产品介绍
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产品简介
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KND3306B为KIA 80A/68V N沟道MOS管，TO-252贴片封装，低导通内阻7mΩ，降低导通损耗，高雪崩电流，绿色无铅器件。
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核心优势
客户痛点解决
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低Rds(on)，发热小，减少电源发热烧毁
高雪崩电流，抗冲击强，可靠性更高
无铅环保，满足整机环保认证
开关特性优良，适配DC-DC与电源方案
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应用领域
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开关电源、DC-DC转换器、电池保护板、电机驱动、逆变电路
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KND3306B（TO-252封装）平替替代型号清单
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IRLR3103
AOD484
NTD4960N
AP60N06
STD80N6F6
BUK96150-55B
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KND3306B（TO-252封装）订购信息
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型号
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封装
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品牌
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KND3306B
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TO-252
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KIA
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KNB3306B
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TO-263
|
KIA
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KND3306B（TO-252封装）绝对最大额定参数（25℃）
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参数名称
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符号
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TO-252规格
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单位
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漏源电压
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VDSS
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68
|
V
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栅源电压
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VGSS
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±25
|
V
|
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连续漏电流(Tc=25℃)
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ID
|
80
|
A
|
|
连续漏电流(Tc=100℃)
|
ID
|
60
|
A
|
|
脉冲漏电流
|
IDP
|
280
|
A
|
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雪崩电流
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IAS
|
20
|
A
|
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单脉冲雪崩能量
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EAS
|
400
|
mJ
|
|
功耗(Tc=25℃)
|
PD
|
84.5
|
W
|
|
功耗(Tc=100℃)
|
PD
|
41
|
W
|
|
结温与存储温度
|
TSTG
|
-55~150
|
℃
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KND3306B（TO-252封装）热特性参数
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参数名称
|
符号
|
TO-252规格
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单位
|
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结到环境热阻
|
RθJA
|
62.5
|
℃/W
|
|
结到壳热阻
|
RθJC
|
1.48
|
℃/W
|
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KND3306B（TO-252封装）电气特性参数（TJ=25℃）
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参数名称
|
符号
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测试条件
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典型值
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单位
|
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漏源击穿电压
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BVDSS
|
VGS=0V,IDS=250μA
|
68
|
V
|
|
零栅压漏电流
|
IDSS
|
VDS=48V,VGS=0V
|
≤1
|
μA
|
|
栅极漏电流
|
IGSS
|
VGS=±25V,VDS=0V
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250μA
|
3
|
V
|
|
导通电阻TO-252
|
RDS(on)
|
VGS=10V,ID=40A
|
7.5
|
mΩ
|
|
栅极电阻
|
Rg
|
VDS=0V,f=1MHz
|
1.2
|
Ω
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=25V,f=1MHz
|
3080
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
VDS=25V,f=1MHz
|
400
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
VDS=25V,f=1MHz
|
195
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=30V,ID=30A
|
14
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
VDD=30V,ID=30A
|
13
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
VDD=30V,ID=30A
|
20
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
VDD=30V,ID=30A
|
7.5
|
ns
|
|
总栅电荷
|
Qg
|
VDS=30V,ID=30A
|
104
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
VDS=30V,ID=30A
|
16
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
VDS=30V,ID=30A
|
22
|
nC
|
|
体二极管正向电压
|
VSD
|
ISD=20A,VGS=0V
|
0.85
|
V
|
|
体二极管连续电流
|
IS
|
—
|
80
|
A
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
IF=30A,di/dt=100A/μs
|
33
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
IF=30A,di/dt=100A/μs
|
61
|
nC
|
|
KND3306B（TO-252封装）引脚定义 TO-252
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引脚号
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功能
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|
1
|
Gate 栅极
|
|
2
|
Drain 漏极
|
|
3
|
Source 源极
|
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