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KNB3306B（TO-263封装）产品基础信息
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产品型号
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KNB3306B
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封装形式
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TO-263
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产品类型
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N-CHANNEL MOSFET N沟道MOS管
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品牌
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KIA
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同系列型号
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KND3306B（TO-252封装）
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KNB3306B（TO-263封装）产品特性 Features
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? Rds(on)=7mΩ(典型值)@VGS=10V
? 无铅环保绿色器件
? 低导通电阻，降低导通损耗
? 高雪崩电流，抗冲击能力强
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KNB3306B（TO-263封装）应用领域 Applications
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? 开关电源 Power Supply
? DC-DC转换器 DC-DC Converters
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KNB3306B（TO-263封装）引脚定义
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin2
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Drain 漏极
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Pin3
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Source 源极
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KNB3306B（TO-263封装）最大额定参数 Absolute maximum ratings
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漏源电压 VDSS
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68V
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栅源电压 VGSS
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±25V
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连续漏极电流 ID(Tc=25℃)
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80A
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连续漏极电流 ID(Tc=100℃)
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60A
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脉冲漏极电流 IDP(Tc=25℃)
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280A
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雪崩电流 IAS
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20A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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400mJ
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最大功耗 PD(Tc=25℃)
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156W
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最大功耗 PD(Tc=100℃)
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80W
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结温与存储温度范围 TSTG
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-55℃ ~ 150℃
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KNB3306B（TO-263封装）热特性 Thermal characteristics
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结到环境热阻 RθJA
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62.5 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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0.8 ℃/W
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KNB3306B（TO-263封装）电气特性 Electrical characteristics（TJ=25℃）
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漏源击穿电压 BVDSS
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最小68V；测试条件VGS=0V,IDS=250μA
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零栅压漏极电流 IDSS(VDS=48V,VGS=0V)
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最大1μA
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零栅压漏极电流 IDSS(VDS=48V,VGS=0V,TJ=125℃)
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最大100μA
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栅极漏电流 IGSS(VGS=±25V,VDS=0V)
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±100nA
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栅极阈值电压 VGS(th)
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最小2V，典型3V，最大4V
测试条件VDS=VGS,ID=250μA
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漏源导通电阻 RDS(on)
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典型7.0mΩ，最大8.0mΩ
测试条件VGS=10V,ID=40A
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栅极电阻 Rg
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典型1.2Ω；VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz
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输入电容 Ciss
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典型3080pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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输出电容 Coss
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典型400pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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反向传输电容 Crss
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典型195pF；VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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开通延迟时间 td(on)
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典型14ns；VDD=30V,ID=30A,RG=6.8Ω,VGS=10V
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上升时间 tr
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典型13ns；VDD=30V,ID=30A,RG=6.8Ω,VGS=10V
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关断延迟时间 td(off)
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典型20ns；VDD=30V,ID=30A,RG=6.8Ω,VGS=10V
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下降时间 tf
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典型7.5ns；VDD=30V,ID=30A,RG=6.8Ω,VGS=10V
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总栅电荷 Qg
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典型104nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=30A
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栅源电荷 Qgs
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典型16nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=30A
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栅漏电荷 Qgd
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典型22nC；VDS=30V,VGS=10V,ID=30A
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源漏二极管正向电压 VSD
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典型0.85V，最大1.3V；ISD=20A,VGS=0V
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二极管连续正向电流 IS
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80A
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反向恢复时间 trr
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典型33ns；IF=30A,di/dt=100A/μs
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反向恢复电荷 Qrr
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典型61nC；IF=30A,di/dt=100A/μs
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KNB3306B（TO-263封装）平替替代型号清单
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FDD8870
NTD80N06
IRF3205S
AOI4406
STS80N6
KND3306B(TO-252同芯片)
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产品营销推广介绍
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KNB3306B是TO-263封装N沟道MOS管，耐压68V，持续电流80A。
典型导通电阻仅7mΩ，导通损耗低，器件发热更小。
具备高雪崩电流特性，抗浪涌冲击强，器件可靠性高。
无铅环保工艺，满足绿色产品要求。
适配开关电源、DC-DC转换器等电力电子场景。
原厂KIA半导体直供，立创现货，参数稳定一致性好。
TO-263贴片封装散热性能优异，适合大电流高密度PCB设计。
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