KNB3306C TO-263 68V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻大电流 TO-263 封装 MOS 管，电源 / 电机驱动优选
KNB3306C，TO-263，68V80A，N 沟道 MOS管，低内阻 MOS管，
电源 MOS管，电机驱动 MOS管，KIA-MOS管
KNB3306C规格书
KNB3306C TO-263 N沟道mos管
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产品简介 KNB3306C（TO-263）80A 68V N沟道mos管
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KNB3306C为KIA高压大电流N沟道mos管，TO-263封装，低导通电阻，开关速度快，适用于电源管理、PWM电路、负载开关。
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KNB3306C（TO-263封装）产品特性 Features
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RDS(on)=6.5mΩ(典型值)@VGS=10V
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极低导通电阻RDS(on)
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低Crss反向传输电容
-
快速开关特性
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100%雪崩测试
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优化dv/dt耐受能力
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KNB3306C（TO-263封装）应用领域 Applications
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KNB3306C（TO-263封装）引脚定义
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引脚
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功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
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3
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Source 源极
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KNB3306C（TO-263封装）订购信息
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型号
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封装
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品牌
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KND3306C
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TO-252
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KIA
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KNB3306C
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TO-263
|
KIA
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KNB3306C（TO-263封装）最大额定参数（Tc=25℃）
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDSS
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68
|
V
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连续漏极电流 Tc=25℃
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ID
|
80
|
A
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连续漏极电流 Tc=100℃
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ID
|
52
|
A
|
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脉冲漏极电流
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IDM
|
320
|
A
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|
栅源电压
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VGS
|
±25
|
V
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单脉冲雪崩能量
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EAS
|
260
|
mJ
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功耗(Tc=25℃)
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PD
|
125
|
W
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结温与存储温度范围
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TJ,TSTG
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-55~150
|
℃
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焊接引脚最高温度
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TL
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300
|
℃
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KNB3306C（TO-263封装）热学参数
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参数名称
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符号
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额定值
|
单位
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结到壳热阻
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RθJC
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1
|
℃/W
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KNB3306C（TO-263封装）电气特性（Tc=25℃）
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参数名称
|
符号
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测试条件
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Min
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Typ
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Max
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单位
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漏源击穿电压
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BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
68
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=68V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
栅源正向漏电流
|
IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.0
|
3.0
|
4.0
|
V
|
|
漏源导通电阻
|
RDS(on)
|
VGS=10V,ID=20A
|
-
|
6.5
|
8.5
|
mΩ
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=35V,VGS=0V
f=1MHz
|
-
|
5850
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
230
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
210
|
-
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VGS=10V,VDS=35V
RL=3Ω,ID=40A
TJ=25℃
|
-
|
25
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
-
|
24
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
-
|
48
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
-
|
10
|
-
|
ns
|
|
总栅电荷(10V)
|
Qg
|
VDS=60V,ID=40A
VGS=10V
|
-
|
92.6
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
-
|
23
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
-
|
37
|
-
|
nC
|
|
栅极电阻
|
RG
|
f=1MHz
|
-
|
3.3
|
-
|
Ω
|
|
连续二极管正向电流
|
IS
|
—
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
脉冲二极管正向电流
|
ISM
|
—
|
-
|
-
|
320
|
A
|
|
二极管正向电压
|
VSD
|
ISD=20A,VGS=0V,TJ=25℃
|
-
|
-
|
1.2
|
V
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KNB3306C（TO-263封装）平替替代型号清单
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FDB8068
IRF3306
NTD8068
AOT8068
SM8068
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KNB3306C（TO-263封装）产品营销推广
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KNB3306C TO-263 80A68V N沟道mos管，低导通损耗，开关速度快。
100%雪崩测试，dv/dt抗扰能力强，散热性能优秀，适合大功率电源、BMS、负载开关。
国产原厂现货供应，交期稳定，支持样品测试，可直接替代进口同规格mos管，降低BOM成本。
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