KCD3406A TO-252 60V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
6.5mΩ 低内阻 TO-252 MOS 管，电源 DC-DC 优选器件
KCD3406A，TO-252，60V80A，N 沟道 MOS管，
低内阻 MOS管，DC-DC 电源 MOS管，KIA-MOS管
KCD3406A规格书
KNX3406A(KND3406A TO-252) N沟道MOS管
KCD3406A（TO-252KCD3406A封装）产品简介
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产品型号
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KND3406A（KNX3406A系列 TO-252封装）
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产品类型
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N沟道MOSFET
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规格参数
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60V，80A，Rds(on)=6.5mΩ(典型值)
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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KCD3406A（TO-252封装）产品特性
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1
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RDS(ON)=6.5mΩ(典型值)@VGS=10V
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2
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无铅环保器件，符合绿色标准
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|
3
|
低导通电阻，降低传导损耗
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4
|
高雪崩电流，抗冲击能力强
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KCD3406A（TO-252封装）应用领域
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1
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Power Supply 电源
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2
|
DC-DC Converters DC-DC转换器
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KCD3406A（TO-252封装）引脚定义
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DFN5*6引脚
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TO-252引脚
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功能
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4
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1
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Gate 栅极
|
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5,6,7,8
|
2
|
Drain 漏极
|
|
1,2,3
|
3
|
Source 源极
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KCD3406A（TO-252封装）订购信息
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型号
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封装
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品牌
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KND3406A
|
TO-252
|
KIA
|
|
KNY3406A
|
DFN5*6
|
KIA
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KCD3406A（TO-252封装）最大额定参数(Tc=25℃)
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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V_DSS
|
60
|
V
|
|
栅源电压
|
V_GSS
|
±25
|
V
|
|
连续漏极电流 Tc=25℃
|
I_D
|
80
|
A
|
|
连续漏极电流 Tc=100℃
|
I_D
|
60
|
A
|
|
脉冲漏极电流
|
I_DP
|
280
|
A
|
|
雪崩电流
|
I_AS
|
20
|
A
|
|
雪崩能量
|
E_AS
|
225
|
mJ
|
|
最大功耗 Tc=25℃
|
P_D
|
84.5
|
W
|
|
最大功耗 Tc=100℃
|
P_D
|
41
|
W
|
|
结温与存储温度范围
|
T_J,T_STG
|
-55~+150
|
℃
|
KCD3406A（TO-252封装）热学参数
|
符号
|
参数名称
|
典型值
|
单位
|
|
R_θJC
|
结到外壳热阻
|
1.48
|
℃/W
|
|
R_θJA
|
结到环境热阻
|
62.5
|
℃/W
|
电气特性(Tj=25℃)
|
KCD3406A（TO-252封装）参数名称
|
符号
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测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
漏源击穿电压
|
V_(BR)DSS
|
VGS=0V,ID=250μA
|
60
|
-
|
-
|
V
|
|
零栅压漏极电流
|
I_DSS
|
VDS=48V,VGS=0V
Tj=125℃
|
-
-
|
-
-
|
1μA
100μA
|
μA
|
|
栅体漏电流
|
I_GSS
|
VGS=±25V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
栅极阈值电压
|
V_GS(th)
|
VDS=VGS,ID=250μA
|
1.0
|
1.6
|
3.0
|
V
|
|
漏源导通电阻
|
R_DS(on)
|
VGS=10V,ID=30A
|
-
|
6.5
|
8.5
|
mΩ
|
|
源漏二极管正向电压
|
V_SD
|
VGS=0V,ISD=20A
|
-
|
0.85
|
1.3
|
V
|
|
二极管连续正向电流
|
I_S
|
-
|
-
|
-
|
80
|
A
|
|
反向恢复时间
|
t_rr
|
IF=30A,di/dt=100A/μs
|
-
|
33
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Q_rr
|
IF=30A,di/dt=100A/μs
|
-
|
61
|
-
|
nC
|
|
栅极电阻
|
R_G
|
VGS=0V,VDS=0A
Freq=1MHz
|
-
|
2.0
|
-
|
Ω
|
|
输入电容
|
C_iss
|
VDS=25V,VGS=0V,1MHz
|
-
|
6050
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
C_oss
|
VDS=25V,VGS=0V,1MHz
|
-
|
170
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
C_rss
|
VDS=25V,VGS=0V,1MHz
|
-
|
100
|
-
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
t_d(on)
|
VDD=30V,ID=30A
RG=6.8Ω,VGS=10V
|
-
|
14
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
t_r
|
VDD=30V,ID=30A
RG=6.8Ω,VGS=10V
|
-
|
13
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
t_d(off)
|
VDD=30V,ID=30A
RG=6.8Ω,VGS=10V
|
-
|
20
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
t_f
|
VDD=30V,ID=30A
RG=6.8Ω,VGS=10V
|
-
|
7.5
|
-
|
ns
|
|
总栅电荷
|
Q_g
|
VDS=30V,ID=30A,VGS=10V
|
-
|
104
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Q_gs
|
VDS=30V,ID=30A,VGS=10V
|
-
|
16
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Q_gd
|
VDS=30V,ID=30A,VGS=10V
|
-
|
22
|
-
|
nC
|
KCD3406A（TO-252封装）平替替代型号清单
IRLR3406
AOD3406
STD80N6F6
NTB60N80
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KCD3406A（TO-252封装） 产品营销推广
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?60V80A大电流，6.5mΩ低导通电阻，发热更小
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?高雪崩耐量，应对浪涌冲击，提升电源可靠性
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?TO-252贴片封装，适配DC-DC、电源模块方案
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?KIA原厂，无铅环保，现货稳定，可直接替代
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