KIAKCY3406A DFN5*6 60V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
SGT 工艺低内阻 KCY3406A，高频同步整流专用 MOS管
KCY3406A,KIA MOS管，DFN5*6 MOS管，60V80A N 沟道 MOS管，
同步整流 MOS管，低内阻 SGT MOS管
KCY3406A规格书
|
KCY3406A(DFN5*6) N沟道MOS管产品总览
|
|
产品型号
|
KCY3406A
|
|
封装
|
DFN5*6
|
|
品牌
|
KIA KMOS Semiconductor
|
|
类型
|
N沟道增强型功率MOSFET SGT架构
|
|
VDSS漏源耐压
|
60V
|
|
ID连续漏极电流(25℃)
|
80A
|
|
ID连续漏极电流(100℃)
|
48A
|
|
IDM脉冲漏极电流
|
240A
|
|
RDS(ON)@VGS=10V典型值
|
8.5mΩ
|
|
RDS(ON)@VGS=4.5V典型值
|
13mΩ
|
|
PD功耗(Tc=25℃)
|
63W
|
|
VGSS栅源电压
|
±20V
|
|
EAS单脉冲雪崩能量
|
81mJ
|
|
结温范围TJ
|
-55℃ ~ +150℃
|
|
存储温度TSTG
|
-55℃ ~ +150℃
|
|
RθJC结到壳热阻
|
2.0℃/W
|
|
RθJA结到环境热阻
|
62℃/W
|
|
KCY3406A（DFN5*6封装）核心电气参数(Tj=25℃)
|
|
BVDSS漏源击穿电压
|
60V(VGS=0V,ID=250uA)
|
|
IDSS漏源漏电流
|
Max 1uA(VDS=60V,VGS=0V)
|
|
IGSS栅源漏电流
|
±100nA(VGS=±20V,VDS=0V)
|
|
VGS(TH)栅极阈值电压
|
1.0~3.0V(典型2.0V)
|
|
RG栅极电阻
|
1.8Ω@1MHz
|
|
CISS输入电容
|
1065pF@VDS=30V,1MHz
|
|
COSS输出电容
|
430pF@VDS=30V,1MHz
|
|
CRSS反向传输电容
|
22pF@VDS=30V,1MHz
|
|
Qg总栅电荷
|
16.8nC(VDD=48V,ID=13.5A)
|
|
Qgs栅源电荷
|
5.9nC(VDD=48V,ID=13.5A)
|
|
Qgd米勒电荷
|
2.7nC(VDD=48V,ID=13.5A)
|
|
VSD体二极管正向压降
|
1.4V(Is=13.5A,VGS=0V)
|
|
trr反向恢复时间
|
52ns
|
|
Qrr反向恢复电荷
|
0.05nC
|
|
KCY3406A（DFN5*6封装）开关时间参数
|
|
td(on)开通延迟时间
|
8ns
|
|
trise上升时间
|
54ns
|
|
td(off)关断延迟时间
|
19ns
|
|
tfall下降时间
|
8.8ns
|
|
KCY3406A（DFN5*6封装）引脚定义 DFN5*6
|
|
引脚1,2,3
|
Source源极
|
|
引脚4
|
Gate栅极
|
|
引脚5,6,7,8
|
Drain漏极
|
|
产品特点
|
|
特性亮点
|
SGT MOS管，低Rds(on)，低栅电荷
低Crss，高速开关，dv/dt能力强
|
|
典型应用
|
次级同步整流，逆变器电源管理
|
|
KCY3406A（DFN5*6封装）平替替代型号清单
|
|
备选型号
|
IRL3406
BSC080N06NS
NTB60N06
SM60N06
AP60N06
|
|
KCY3406A（DFN5*6封装）产品介绍
|
|
产品简介
|
KCY3406A是KIA SGT工艺N沟道MOS管，DFN5*6封装，60V/80A
，采用LVMOS工艺，优化元胞结构，实现极低导通电阻，开关性能优异。
|
|
核心优势
|
?极低导通损耗，降低发热，提升电源效率
?低栅电荷，开关速度快，适合高频电源
?优异抗dv/dt能力，可靠性高
?DFN5*6贴片，节省PCB空间
|
|
适用场景
|
同步整流电源，逆变器，DC-DC电源，电池保护板，电机驱动等大功率电源方案。
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
