KCY3008A DFN5*6 封装 85V100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-10-08
KCY3008A DFN5*6 封装 85V100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
SGT 工艺低内阻 4.5mΩ，解决大功率电源发热炸管痛点
KIA 原厂 KCY3008A DFN56 N 沟道 MOS 管，耐压 85V，电流 100A，
Rds (on)=4.5mΩ。SGT 先进工艺，低损耗低发热，适配 BMS 保护板、
同步整流、电机驱动、DC-DC 电源，交期稳定，可替代进口 mos 管，
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KCY3008A规格书
| KCY3008A（DFN5*6）N沟道MOS管 产品概述 | |
|---|---|
| 型号 | KCY3008A |
| 封装 | DFN5*6 |
| 品牌 | KIA可易亚半导体 |
| 工艺 | 先进SGT工艺 |
| 核心亮点 | Rds(on)典型值4.5mΩ，FOM值优异，低发热 |
| 应用场景 | 电机驱动、同步整流SR、DC/DC转换器、通用功率开关 |
| 客户痛点解决 | 大功率电路温升高、开关损耗大、器件雪崩能力不足 |
| 系列同型号多封装选型 | |
|---|---|
| Part Number | Package |
| KCB3008A | TO-263 |
| KCY3008A | DFN5*6 |
| KCD3008A | TO-252 |
| KCY3008A（DFN5*6封装）最大额定参数（TC=25℃） | ||
|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | KCY3008A(DFN5*6) |
| 漏源电压 | VDSS | 85V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 100A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 70A |
| 脉冲漏极电流 | IDP | 480A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 560mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20V |
| 功耗 TC=25℃ | PD | 90W |
| 结温与存储温度 | TJ & TSTG | -55 ~ 175℃ |
| KCY3008A（DFN5*6封装）热特性参数 | ||
|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | KCY3008A(DFN5*6) |
| 结到环境热阻 | RθJA | 60 ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.66 ℃/W |
| KCY3008A（DFN5*6封装）电气特性参数（TJ=25℃） | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 参数值 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 最小85V，典型90V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=85V,VGS=0V | 最大1μA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=85V,ID=250μA | 2.0~4.0V，典型3.0V |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | 最大100nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=50A | 典型4.5mΩ，最大5.5mΩ |
| 跨导 | gfs | VDS=5V,ID=50A | 典型80S |
| 栅极电阻 | RG | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | 典型1.5Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型4030pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型545pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型35pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型20ns |
| 上升时间 | tr | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型38ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型45ns |
| 下降时间 | tf | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型20ns |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型65nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型25nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型14nC |
| 体二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,ISD=50A | 0.85~1.4V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=20A,DIF/dt=500A/μs | 典型60ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A,DIF/dt=500A/μs | 典型340nC |
| KCY3008A（DFN5*6封装）引脚定义 | |
|---|---|
| 引脚编号 | 功能 |
| 4 | Gate 栅极G |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极D |
| 1,2,3 | Source 源极S |
|
KCY3008A（DFN5*6封装）平替替代型号清单
|
|---|
|
NCEP058N85D PE58H2P NCE058N85K FDMS058N80 IRL58N85 |
| KCY3008A（DFN5*6封装） | |
|---|---|
| 核心卖点 |
? SGT先进工艺，超低导通电阻4.5mΩ ? 优异FOM，开关损耗低，电源效率高 ? 85V耐压，100A大电流，雪崩能力强560mJ ? DFN5*6贴片封装，节省PCB空间 ? -55~175℃宽温，工业级可靠性 ? KIA原厂供货，支持样品测试 |
| 客户痛点解决 |
?? 大功率电源MOS管发热严重，降本增效 ?? 同步整流电路开关损耗大，转换效率低 ?? 电机驱动器件电流余量不足，易烧毁 ?? 进口器件交期长，国产可直接替换 |
| 推荐应用领域 |
电机驱动板、DC-DC电源模块、同步整流电源 锂电池保护板、工业控制功率开关、BMS |
| KCY3008A（DFN5*6）N沟道MOS管 产品概述 | |
|---|---|
| 型号 | KCY3008A |
| 封装 | DFN5*6 |
| 品牌 | KIA可易亚半导体 |
| 工艺 | 先进SGT工艺 |
| 核心亮点 | Rds(on)典型值4.5mΩ，FOM值优异，低发热 |
| 应用场景 | 电机驱动、同步整流SR、DC/DC转换器、通用功率开关 |
| 客户痛点解决 | 大功率电路温升高、开关损耗大、器件雪崩能力不足 |
| KCX3008A系列同型号多封装选型 | |
|---|---|
| Part Number | Package |
| KCB3008A | TO-263 |
| KCY3008A | DFN5*6 |
| KCD3008A | TO-252 |
| 最大额定参数（TC=25℃） | ||
|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | KCY3008A(DFN5*6) |
| 漏源电压 | VDSS | 85V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 100A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 70A |
| 脉冲漏极电流 | IDP | 480A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 560mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20V |
| 功耗 TC=25℃ | PD | 90W |
| 结温与存储温度 | TJ & TSTG | -55 ~ 175℃ |
| 热特性参数 | ||
|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | KCY3008A(DFN5*6) |
| 结到环境热阻 | RθJA | 60 ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.66 ℃/W |
| 电气特性参数（TJ=25℃） | |||
|---|---|---|---|
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 参数值 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 最小85V，典型90V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=85V,VGS=0V | 最大1μA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=85V,ID=250μA | 2.0~4.0V，典型3.0V |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | 最大100nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=50A | 典型4.5mΩ，最大5.5mΩ |
| 跨导 | gfs | VDS=5V,ID=50A | 典型80S |
| 栅极电阻 | RG | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | 典型1.5Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型4030pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型545pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=40V,VGS=0V,F=1MHz | 典型35pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型20ns |
| 上升时间 | tr | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型38ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型45ns |
| 下降时间 | tf | VDS=40℃,VGS=10V,RL=3Ω | 典型20ns |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型65nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型25nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=40V,ID=25A,VGS=10V | 典型14nC |
| 体二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,ISD=50A | 0.85~1.4V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=20A,DIF/dt=500A/μs | 典型60ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A,DIF/dt=500A/μs | 典型340nC |
| DFN5*6 引脚定义 | |
|---|---|
| 引脚编号 | 功能 |
| 4 | Gate 栅极G |
| 5,6,7,8 | Drain 漏极D |
| 1,2,3 | Source 源极S |
| 平替替代型号清单 |
|---|
|
NCEP058N85D PE58H2P NCE058N85K FDMS058N80 IRL58N85 |
| KCY3008A 营销推广卖点 | |
|---|---|
| 核心卖点 |
? SGT先进工艺，超低导通电阻4.5mΩ ? 优异FOM，开关损耗低，电源效率高 ? 85V耐压，100A大电流，雪崩能力强560mJ ? DFN5*6贴片封装，节省PCB空间 ? -55~175℃宽温，工业级可靠性 ? KIA原厂供货，支持样品测试 |
| 客户痛点解决 |
?? 大功率电源MOS管发热严重，降本增效 ?? 同步整流电路开关损耗大，转换效率低 ?? 电机驱动器件电流余量不足，易烧毁 ?? 进口器件交期长，国产可直接替换 |
| 推荐应用领域 |
电机驱动板、DC-DC电源模块、同步整流电源 锂电池保护板、工业控制功率开关、BMS |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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