|
KCB3008B（TO-263封装）产品基础信息
|
|
产品型号
|
KCB3008B
|
|
产品类型
|
N沟道MOSFET
|
|
封装
|
TO-263
|
|
品牌
|
KIA可易亚半导体
|
|
工艺
|
SGT先进工艺
|
|
KCB3008B（TO-263封装）产品核心特性
|
|
核心优势
|
极低Rds(on)，FOM品质因子优异
|
|
典型导通电阻
|
4.5mΩ@Vgs=10V
|
|
应用场景
|
电机驱动，同步整流，DC/DC变换器，通用电源
|
|
KCB3008B（TO-263封装）最大额定参数（Absolute maximum ratings）
|
|
漏源电压 VDSS
|
85V
|
|
连续漏极电流Id(硅极限25℃)
|
160A
|
|
连续漏极电流Id(封装极限25℃)
|
120A
|
|
连续漏极电流Id(封装极限100℃)
|
100A
|
|
脉冲漏极电流 IDP
|
480A
|
|
单脉冲雪崩能量 EAS
|
560mJ
|
|
栅源电压 VGS
|
±20V
|
|
功耗 Ptot(TC=25℃)
|
220W
|
|
结温与存储温度范围
|
-55℃ ~ 175℃
|
|
KCB3008B（TO-263封装）热学参数 Thermal characteristics
|
|
结到环境热阻 RθJA
|
60 ℃/W
|
|
结到外壳热阻 RθJC
|
0.68 ℃/W
|
|
KCB3008B（TO-263封装）静态电气参数(Tj=25℃)
|
|
漏源击穿电压 BVdss
|
Min85V，Typ90V
|
|
零栅压漏极电流 Idss@Vds=85V
|
Max1μA
|
|
栅极阈值电压 VGS(th)
|
Min2.0V，Typ3.0V，Max4.0V
|
|
栅漏电流 IGSS@VGS=20V
|
Max100nA
|
|
栅漏电流 IGSS@VGS=-20V
|
Max-100nA
|
|
漏源导通电阻 Rds(on)
|
Typ4.5mΩ，Max5.5mΩ@Vgs=10V,Id=50A
|
|
跨导 gfs@Vds=5V,Id=50A
|
Typ80S
|
|
KCB3008B（TO-263封装）动态电气参数(Tj=25℃)
|
|
栅极电阻 RG
|
Typ2.0Ω@F=1MHz
|
|
输入电容 Ciss
|
Typ4050pF@Vds=40V,F=1MHz
|
|
输出电容 Coss
|
Typ650pF@Vds=40V,F=1MHz
|
|
反向传输电容 Crss
|
Typ20pF@Vds=40V,F=1MHz
|
|
开通延迟时间 td(on)
|
Typ21ns@Vds=40V,Id=50A
|
|
上升时间 tr
|
Typ41ns@Vds=40V,Id=50A
|
|
关断延迟时间 td(off)
|
Typ47ns@Vds=40V,Id=50A
|
|
下降时间 tf
|
Typ25ns@Vds=40V,Id=50A
|
|
KCB3008B（TO-263封装）栅电荷参数
|
|
总栅电荷 Qg
|
Typ80nC@Vds=40V,Id=50A,Vgs=10V
|
|
栅源电荷 Qgs
|
Typ23nC@Vds=40V,Id=50A,Vgs=10V
|
|
栅漏电荷 Qgd
|
Typ24nC@Vds=40V,Id=50A,Vgs=10V
|
|
体二极管参数
|
|
二极管正向电压 VSD
|
Typ0.85V，Max1.4V@Isd=50A
|
|
反向恢复时间 trr@If=20A
|
Typ60ns
|
|
反向恢复电荷 Qrr
|
Typ136uC@dIf/dt=100A/μs
|
|
KCB3008B（TO-263封装）引脚定义 TO-263
|
|
Pin 1
|
Gate 栅极
|
|
Pin 2
|
Drain 漏极
|
|
Pin 3
|
Source 源极
|
|
KCB3008B（TO-263封装）平替替代型号清单
|
|
兼容替代型号
|
KCY3008A
IRF3008
NTB80N10
IPP80N10N3G
SI7850DP
|
|
KCB3008B（TO-263封装）产品营销要点
|
|
客户痛点解决
|
低导通内阻，降低发热，减少电源炸管风险；FOM优异，开关损耗低
|
|
产品亮点
|
国产SGT工艺MOS管，TO-263贴片，大电流承载，现货稳定，支持样品申请
|
|
适用领域
|
工业电机驱动，大功率同步整流，DC-DC电源模块，大功率电源设备
|
