KCT050N08N TOLL-8 85V135A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-10-09
KCT050N08N TOLL-8 85V135A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻大电流 TOLL-8 封装 MOS 管 电源电机驱动专用
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KCT050N08N规格书
| KCT050N08N TOLL N沟道MOS管｜产品简介 |
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KCT050N08N采用Geener先进MOS工艺，低导通电阻，FOM优。 通过JEDEC标准，100%雪崩、DVDS测试，RoHS合规。 适用电机驱动、电池管理、UPS不间断电源场景。 |
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KCT050N08N（TOLL-8封装）产品订购信息
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| 型号 | 丝印 | 封装 | 包装 | 每卷数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB050N08N | KCB050N08N | TO-263 | Tape | 1000pcs |
| KCT050N08N | KCT050N08N | TOLL | Tape | 2000pcs |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）绝对最大额定值 | |||
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 85 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 135 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 86 | A |
| 脉冲漏极电流Tc=25℃ | ID pulse | 480 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 144 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗Tc=25℃ | Ptot | 174 | W |
| 结温/存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）热阻参数 | |||
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RthJC | 0.72 | ℃/W |
| 结到环境热阻(最小焊盘) | RthJA | 62 | ℃/W |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）静态电气特性(Tj=25℃) | ||||||
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 85 | 97 | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | - | 0.05 | 1 | uA | VDS=80V,VGS=0V,Tj=25℃ |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 5 | uA | Tj=125℃ |
| 栅源漏电流 | IGSS | - | 10 | 100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| TO-263导通电阻 | RDS(on) | - | 4.3 | 5.2 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| TOLL导通电阻 | RDS(on) | - | 4.1 | 5.0 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| 跨导 | gfs | - | 84.2 | - | S | VDS=5V,ID=50A |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）动态电气特性(Tj=25℃) | ||||
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 3086 | pF | VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 1057 | pF | VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz |
| 反向传输电容 | Crss | 26 | pF | VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz |
| 栅极总电荷 | QG | 55 | nC | VGS=10V,VDS=40V,ID=50A |
| 栅源电荷 | QGS | 15 | nC | VGS=10V,VDS=40V,ID=50A |
| 栅漏电荷 | QGD | 13 | nC | VGS=10V,VDS=40V,ID=50A |
| 开通延迟时间 | td(on) | 20.1 | ns | VGS=10V,VDD=40V,RG_ext=3Ω |
| 上升时间 | tr | 38.9 | ns | VGS=10V,VDD=40V,RG_ext=3Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 45.1 | ns | VGS=10V,VDD=40V,RG_ext=3Ω |
| 下降时间 | tf | 22.8 | ns | VGS=10V,VDD=40V,RG_ext=3Ω |
| 栅极电阻 | RG | 3.3 | Ω | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）体二极管特性 | |||||
| 参数名称 | 符号 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | 0.95 | 1.4 | V | VGS=0V,ISD=50A |
| 反向恢复时间 | trr | 60 | - | ns | IF=20A,dI/dt=500A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 560 | - | nC | IF=20A,dI/dt=500A/μs |
| KCT050N08N（TOLL-8封装）应用领域 |
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| KCT050N08N（TOLL-8封装）平替替代型号清单 |
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| KCT050N08N（TOLL-8封装）产品核心卖点 |
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? 采用Geener先进MOS工艺，导通损耗低 ? TOLL封装，散热强，适合高密度电源设计 ? FOM品质因数优异，开关速度均衡 ? 100%雪崩测试、DVDS测试，可靠性高 ? 符合JEDEC标准，RoHS无铅环保 ? 85V/135A大电流，BMS/电机方案优选 |
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