KCT012N09N TOLL-8 90V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
信息来源:本站 日期:2026-10-09
KCT012N09N TOLL-8 90V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
低内阻大电流 TOLL-8 封装功率 MOS 管,BMS 电机驱动优选

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KCT012N09N规格书
KCT012N09N(TOLL-8封装)产品营销简介
| 产品卖点 |
90V 305A超大电流,超低导通电阻;TOLL/TO-263双封装可选。 100%雪崩、DVDS测试,BMS/电机/UPS大功率方案优选,国产现货可试样。 |
|---|---|
| 客户痛点解决 |
大功率回路发热大、损耗高;雪崩可靠性不足;进口货交期长价格高。 KCT012N09N低Rds(on),耐雪崩,KIA原厂稳定供货,平替进口型号。 |
| 应用领域 | 电池管理BMS、电机驱动、UPS不间断电源、大功率开关电源 |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 90 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 305 | A |
| 脉冲漏极电流 | ID(pulse) | 1220 | A |
| Rds(on) TO-263典型 | Rds(on) | 1.3 | mΩ |
| Rds(on) TOLL典型 | Rds(on) | 1.08 | mΩ |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1280 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗Tc=25℃ | Ptot | 260 | W |
| 工作结温范围 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 封装 | Package | TOLL | - |
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 90 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 305 | A |
| 连续漏极电流Ta=25℃ | ID | 30 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 193 | A |
| 脉冲漏极电流 | ID(pulse) | 1220 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1280 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗Tc=25℃ | Ptot | 260 | W |
| 结温与存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | RthJC | 0.5 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RthJA | 65 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 90 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2.3 | 3.1 | 3.9 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=90V,VGS=0V |
| 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| Rds(on) TO-263 | Rds(on) | - | 1.3 | 1.6 | mΩ | VGS=10V,ID=100A |
| Rds(on) TOLL | Rds(on) | - | 1.08 | 1.3 | mΩ | VGS=10V,ID=100A |
| 跨导 | gfs | - | 155 | - | S | VDS=5V,ID=50A |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | 10572 | pF | VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 3117 | pF | VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz |
| 反向传输电容 | Crss | 54 | pF | VGS=0V,VDS=45V,f=1MHz |
| 栅总电荷 | QG | 141 | nC | VGS=10V,VDS=45V,ID=100A |
| 栅源电荷 | QGS | 55 | nC | VGS=10V,VDS=45V,ID=100A |
| 栅漏电荷 | QGD | 27 | nC | VGS=10V,VDS=45V,ID=100A |
| 开通延迟时间 | td(on) | 115 | ns | VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω |
| 上升时间 | tr | 80 | ns | VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω |
| 关断延迟时间 | td(off) | 78 | ns | VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω |
| 下降时间 | tf | 49 | ns | VGS=10V,VDS=45V,RGEN=6Ω |
| 栅极电阻 | RG | 2.3 | Ω | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz |
| 参数名称 | 符号 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|
| 体二极管正向压降 | VSD | 0.9 | 1.2 | V | VGS=0V,IF=100A |
| 反向恢复时间 | trr | 89 | - | ns | IF=50A,VDS=45V |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 178 | - | nC | dI/dt=100A/μs |
| 型号 | 丝印 | 封装 | 包装 | 每盘数量 |
|---|---|---|---|---|
| KCB012N09N | KCB012N09N | TO-263 | 卷带 | 1000pcs |
| KCT012N09N | KCT012N09N | TOLL | 卷带 | 2000pcs |
|
型号1 型号2 型号3 型号4 型号5 |
| 检测认证 | 100% DVDS测试|100%雪崩测试|RoHS无卤素环保 |
|---|
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