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KCT012N10N TOLL-8 100V N 沟道 MO管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-10-09 

KCT012N10N TOLL-8 100V N 沟道 MO管|KIA-MOS管

低内阻大电流 TOLL-8 MOS 管,电源 BMS 电机驱动优选

KCT012N10N

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KCT012N10N规格书

KCT012N10N规格书

KCT012N10N(TOLL-8封装)产品简介
产品营销卖点 KCT012N10N(TOLL-8),KIA功率N沟道MOS管
采用先进Geener MOS工艺,FOM值优异
极低导通电阻,大电流能力强,散热性能突出
通过JEDEC标准,100%雪崩、DVDS测试,RoHS环保
解决大功率BMS、电机驱动高温发热、压降大痛点
应用领域 电机控制与驱动
电池管理系统BMS
UPS不间断电源
平替替代型号清单 IRL40S210
TPH3200NH
BSC012N10NS5
IPD012N10N
NVTFS012N10MC
KCT012N10N(TOLL-8封装)产品概要 Product Summary
参数 符号 数值 备注
漏源电压 VDS 100V
导通电阻典型值 RDS(on) 1.2mΩ TOLL封装
连续漏极电流 ID 330A Tc=25℃
KCT012N10N(TOLL-8封装)绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings
参数 符号 数值 单位
漏源电压 VDS 100 V
连续漏极电流 Tc=25℃ ID 330 A
连续漏极电流 Ta=25℃ ID 33 A
连续漏极电流 Tc=100℃ ID 246 A
脉冲漏极电流 ID pulse 1320 A
单脉冲雪崩能量 EAS 540 mJ
栅源电压 VGS ±20 V
功耗 Tc=25℃ Ptot 431 W
结温与存储温度 Tj,Tstg -55~+150 ℃
KCT012N10N(TOLL-8封装)热阻 Thermal Resistance
参数 符号 最大值 单位
结到壳热阻 RthJC 0.29 ℃/W
结到环境热阻 RthJA 40 ℃/W
静态电气特性 Static Characteristic(Tj=25℃)
参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件
漏源击穿电压 BVDSS 100 - - V VGS=0V,ID=250uA
栅极阈值电压 VGS(th) 2.4 3 3.6 V VDS=VGS,ID=250uA
零栅压漏极电流 IDSS - - 1 μA VDS=100V,VGS=0V
栅源漏电流 IGSS - - ±100 nA VGS=±20V,VDS=0V
导通电阻 TOLL RDS(on) - 1.2 1.5 mΩ VGS=10V,ID=50A
跨导 gfs - 260 - S VDS=5V,ID=50A
KCT012N10N(TOLL-8封装)动态电气特性 Dynamic Characteristic(Tj=25℃)
参数 符号 典型值 单位 测试条件
输入电容 Ciss 15800 pF VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz
输出电容 Coss 1930 pF
反向传输电容 Crss 75 pF
栅总电荷 QG 260 nC VGS=10V,VDS=50V,ID=100A
栅源电荷 QGS 75 nC
栅漏电荷 QGD 76 nC
开通延迟时间 td(on) 81 ns VGS=10V,VDS=50V,RGEN=4.7Ω,ID=100A
上升时间 tr 178 ns
关断延迟时间 td(off) 167 ns
下降时间 tf 68 ns
栅极电阻 RG 1 Ω VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz
KCT012N10N(TOLL-8封装)体二极管特性 Body Diode Characteristic
参数 符号 典型 最大 单位 测试条件
体二极管正向电压 VSD 0.85 1.1 V VGS=0V,IF=100A
反向恢复时间 trr 92 - ns IF=20A,dI/dt=100A/μs
反向恢复电荷 Qrr 200 - nC
KCT012N10N(TOLL-8封装)订购信息 Package Marking and Ordering Information
型号 丝印 封装 包装 每盘数量
KCT012N10N KCT012N10N TOLL 卷带 2000pcs
KCB012N10N KCB012N10N TO-263 卷带 1000pcs


座机:0755-83888366-8022

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