KCT012N10N TOLL-8 100V N 沟道 MO管|KIA-MOS管
信息来源:本站 日期:2026-10-09
KCT012N10N TOLL-8 100V N 沟道 MO管|KIA-MOS管
低内阻大电流 TOLL-8 MOS 管,电源 BMS 电机驱动优选
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KCT012N10N规格书
| KCT012N10N(TOLL-8封装)产品简介 | |
|---|---|
| 产品营销卖点 |
KCT012N10N(TOLL-8),KIA功率N沟道MOS管 采用先进Geener MOS工艺,FOM值优异 极低导通电阻,大电流能力强,散热性能突出 通过JEDEC标准,100%雪崩、DVDS测试,RoHS环保 解决大功率BMS、电机驱动高温发热、压降大痛点 |
| 应用领域 |
电机控制与驱动 电池管理系统BMS UPS不间断电源 |
| 平替替代型号清单 |
IRL40S210 TPH3200NH BSC012N10NS5 IPD012N10N NVTFS012N10MC |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)产品概要 Product Summary | |||
|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 数值 | 备注 |
| 漏源电压 | VDS | 100V | |
| 导通电阻典型值 | RDS(on) | 1.2mΩ | TOLL封装 |
| 连续漏极电流 | ID | 330A | Tc=25℃ |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings | |||
|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏源电压 | VDS | 100 | V |
| 连续漏极电流 Tc=25℃ | ID | 330 | A |
| 连续漏极电流 Ta=25℃ | ID | 33 | A |
| 连续漏极电流 Tc=100℃ | ID | 246 | A |
| 脉冲漏极电流 | ID pulse | 1320 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 540 | mJ |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 功耗 Tc=25℃ | Ptot | 431 | W |
| 结温与存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)热阻 Thermal Resistance | |||
|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
| 结到壳热阻 | RthJC | 0.29 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RthJA | 40 | ℃/W |
| 静态电气特性 Static Characteristic(Tj=25℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | 100 | - | - | V | VGS=0V,ID=250uA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2.4 | 3 | 3.6 | V | VDS=VGS,ID=250uA |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA | VDS=100V,VGS=0V |
| 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS=±20V,VDS=0V |
| 导通电阻 TOLL | RDS(on) | - | 1.2 | 1.5 | mΩ | VGS=10V,ID=50A |
| 跨导 | gfs | - | 260 | - | S | VDS=5V,ID=50A |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)动态电气特性 Dynamic Characteristic(Tj=25℃) | ||||
|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 典型值 | 单位 | 测试条件 |
| 输入电容 | Ciss | 15800 | pF | VGS=0V,VDS=50V,f=1MHz |
| 输出电容 | Coss | 1930 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 75 | pF | |
| 栅总电荷 | QG | 260 | nC | VGS=10V,VDS=50V,ID=100A |
| 栅源电荷 | QGS | 75 | nC | |
| 栅漏电荷 | QGD | 76 | nC | |
| 开通延迟时间 | td(on) | 81 | ns | VGS=10V,VDS=50V,RGEN=4.7Ω,ID=100A |
| 上升时间 | tr | 178 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | 167 | ns | |
| 下降时间 | tf | 68 | ns | |
| 栅极电阻 | RG | 1 | Ω | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)体二极管特性 Body Diode Characteristic | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 参数 | 符号 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
| 体二极管正向电压 | VSD | 0.85 | 1.1 | V | VGS=0V,IF=100A |
| 反向恢复时间 | trr | 92 | - | ns | IF=20A,dI/dt=100A/μs |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 200 | - | nC | |
| KCT012N10N(TOLL-8封装)订购信息 Package Marking and Ordering Information | ||||
|---|---|---|---|---|
| 型号 | 丝印 | 封装 | 包装 | 每盘数量 |
| KCT012N10N | KCT012N10N | TOLL | 卷带 | 2000pcs |
| KCB012N10N | KCB012N10N | TO-263 | 卷带 | 1000pcs |
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
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