KND6610A TO-252 100V15A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 开关损耗小，可替代 15N10，原厂现货可送样
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100V15A 场效应管，15N10 替代，LED 驱动 MOS 管，
DC-DC 电源 mos 管，KIA-MOS 管
KND6610A规格书
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KND6610A N沟道MOS管（TO-252，15A 100V）产品概述
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型号
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KND6610A
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封装
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TO-252
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品牌
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KIA
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类型
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N-CHANNEL MOSFET
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技术工艺
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KIA 先进平面沟槽TRENCH工艺
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产品亮点
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Rds(on)典型83mΩ@VGS=10V
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极低导通电阻，低Crss
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开关速度快，100%雪崩测试
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提升dv/dt抗扰能力
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典型应用
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PWM电路、电源管理、负载开关
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KND6610A（TO-252封装）绝对最大额定参数（Tc=25℃，除非另行标注）
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDSS
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100
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V
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连续漏极电流(Tc=25℃)
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ID
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15
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A
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连续漏极电流(Tc=100℃)
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ID
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10
|
A
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脉冲漏极电流
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IDM
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60
|
A
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栅源电压
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VGS
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±20
|
V
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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3.5
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mJ
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功耗(Tc=25℃)
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PD
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55
|
W
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结温&存储温度范围
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TJ,TSTG
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-55~150
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℃
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引脚焊接最高温度
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TL
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300
|
℃
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KND6610A（TO-252封装）热特性参数
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参数名称
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符号
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额定值
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单位
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结到壳热阻
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RθJC
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2.73
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℃/W
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KND6610A（TO-252封装）电气特性参数（Tc=25℃，除非另行标注）
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参数名称
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符号
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测试条件
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Min/Typ/Max
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单位
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漏源击穿电压
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BVDSS
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VGS=0V,ID=250uA
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Min:100
|
V
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漏源漏电流
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IDSS
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VDS=100V,VGS=0V
|
Max:1
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uA
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栅源正向漏电流
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IGSS
|
VGS=±20V,VDS=0V
|
Max:±1
|
uA
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栅极阈值电压
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VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
Min:1.0 Typ:1.7 Max:2.5
|
V
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漏源导通电阻
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RDS(on)
|
VGS=10V,ID=10A
|
Typ:83 Max:110
|
mΩ
|
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漏源导通电阻
|
RDS(on)
|
VGS=4.5V,ID=8A
|
Typ:90 Max:130
|
mΩ
|
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输入电容
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CISS
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VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
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Typ:1073
|
pF
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输出电容
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COSS
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Typ:57
|
pF
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反向传输电容
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CRSS
|
Typ:31
|
pF
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开通延迟时间
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td(on)
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VGS=10V,VDS=30V,RG=1.8Ω,ID=10A
|
Typ:12.6
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
Typ:6
|
ns
|
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关断延迟时间
|
td(off)
|
Typ:32.5
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
Typ:4.3
|
ns
|
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总栅极电荷(10V)
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Qg
|
VDS=30V,ID=15A,VGS=10V
|
Typ:19.2
|
nC
|
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栅源电荷
|
Qgs
|
Typ:3.4
|
nC
|
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栅漏电荷
|
Qgd
|
Typ:6.1
|
nC
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连续体二极管正向电流
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IS
|
—
|
Max:15
|
A
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脉冲体二极管正向电流
|
ISM
|
—
|
Max:60
|
A
|
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二极管正向电压
|
VSD
|
ISD=15A,VGS=0V,Tj=25℃
|
Max:1.2
|
V
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KND6610A（TO-252封装）平替替代型号清单
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可直接平替型号
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KNY6610A
FQD15N10
STD15N10
IRFZ44N
NTD4815N
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KND6610A（TO-252封装）产品营销卖点
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核心优势
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1.沟槽工艺，导通损耗低，开关性能优异
2.100V/15A，TO-252贴片，适合电源与PWM
3.低Crss，栅电荷小，高速开关，发热更低
4.全检雪崩，抗浪涌，dv/dt耐受能力强
5.国产KIA，交期稳定，性价比高
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推荐场景
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DC-DC电源、LED驱动、电机驱动、负载开关
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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