KNY6610A DFN5*6 100V15A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 快开关，100% 雪崩测试，电源 PWM 负载开关优选
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KNY6610A规格书
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KNY6610A（DFN5*6封装） 产品基础信息
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型号
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KNY6610A
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品牌
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KIA
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封装
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DFN5*6
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类型
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N沟道MOS管
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Vds 漏源电压
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100V
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Id连续漏极电流(Tc25℃)
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15A
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Id连续漏极电流(Tc100℃)
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10A
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IdM脉冲漏极电流
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60A
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Vgs栅源电压
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±20V
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EAS单脉冲雪崩能量
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3.5mJ
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Pd功耗(Tc=25℃)
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55W
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工作结温范围
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-55~150℃
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焊接引线最高温度
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300℃
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RθJC结壳热阻
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2.73℃/W
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KNY6610A（DFN5*6封装） 电气特性参数(Tc=25℃)
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BVdss漏源击穿电压
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100V
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Idss漏源漏电流(Vds=100V,Vgs=0V)
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1μA Max
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Igss栅源漏电流(Vgs=±20V,Vds=0V)
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±1μA Max
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Vgs(th)栅极阈值电压
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1.0~2.5V(Typ:1.7V)
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Rds(on)导通电阻@Vgs=10V,Id=10A
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83mΩ(Typ)/110mΩ Max
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Rds(on)导通电阻@Vgs=4.5V,Id=8A
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90mΩ(Typ)/130mΩ Max
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Ciss输入电容(Vds=25V,f=1MHz)
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1073pF(Typ)
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Coss输出电容(Vds=25V,f=1MHz)
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57pF(Typ)
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Crss反向传输电容(Vds=25V,f=1MHz)
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31pF(Typ)
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td(on)开通延迟时间
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12.6ns(Typ)
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tr上升时间
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6ns(Typ)
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td(off)关断延迟时间
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32.5ns(Typ)
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tf下降时间
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4.3ns(Typ)
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Qg总栅电荷@Vgs=10V,Vds=30V,Id=15A
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19.2nC(Typ)
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Qgs栅源电荷
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3.4nC(Typ)
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Qgd栅漏电荷
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6.1nC(Typ)
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Is连续体二极管正向电流
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15A Max
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Ism脉冲体二极管正向电流
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60A Max
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Vsd体二极管正向压降(Isd=15A)
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1.2V Max
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KNY6610A（DFN5*6封装）产品核心特性
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工艺
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平面条纹沟槽TRENCH工艺
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核心优势
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低Rds(on)、低Crss、开关速度快
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可靠性
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100%雪崩测试，dv/dt抗扰能力强
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KNY6610A（DFN5*6封装）应用领域
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适用场景
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PWM电路、电源管理、负载开关
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KNY6610A（DFN5*6封装）引脚定义 DFN5*6
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引脚1,2,3
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Source源极
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引脚4
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Gate栅极
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引脚5,6,7,8
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Drain漏极
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KNY6610A（DFN5*6封装）平替替代型号清单
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备选型号
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15N10
IRLML6402
FDN369
NTD15N10
KND6610A(TO-252)
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KNY6610A（DFN5*6封装）营销卖点
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客户痛点解决
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降低导通损耗，减少发热，开关稳定
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供货服务
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原厂现货，支持样品申请，可批量供货
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座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
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