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产品概述 KNB2910A（TO-263）N沟道mos管
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型号
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KNB2910A
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封装
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TO-263
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品牌
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KIA
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类型
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N-CHANNEL MOSFET
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VDS
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100V
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ID连续电流(25℃)
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130A
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RDS(on)
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典型5.0mΩ，最大7.0mΩ@VGS=10V,ID=40A
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KNB2910A（TO-263封装）应用场景
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产品特点
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超低导通电阻RDS(on)
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超高密单元设计
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100%雪崩测试
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无铅环保器件，符合RoHS
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KNB2910A（TO-263封装）引脚定义
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引脚
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功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
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3
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Source 源极
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KNB2910A（TO-263封装）订购信息
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料号
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封装
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KNB2910A
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TO-263
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KNP2910A
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TO-220
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KNH2910A
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TO-3P
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KNB2910A（TO-263封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数
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规格
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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±25V
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连续漏极电流ID(25℃)
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130A
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连续漏极电流ID(100℃)
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99A
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300us脉冲漏极电流IDP
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560A
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单脉冲雪崩能量EAS
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552mJ
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功耗PD(25℃)
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300W
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功耗PD(100℃)
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150W
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最高结温TJ
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175℃
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存储温度TSTG
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-55~+150℃
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二极管正向连续电流IS
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140A
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KNB2910A（TO-263封装）热特性
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参数
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规格
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结到壳热阻RθJC
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0.5℃/W
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结到环境热阻RθJA
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62.5℃/W
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KNB2910A（TO-263封装）电气特性(Tc=25℃)
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参数
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规格
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漏源击穿电压BVDS
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100V@VGS=0V,ID=250μA
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漏源漏电流IDSS
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最大1μA@VDS=100V,VGS=0V
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栅源漏电流IGSS
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±100nA@VGS=±25V,VDS=0V
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栅源阈值电压VGS(th)
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2.0~4.0V@VDS=VGS,ID=250μA
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栅总电荷Qg
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130nC@VDS=80V,ID=70A,VGS=10V
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栅源电荷Qgs
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32nC
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栅漏米勒电荷Qgd
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55nC
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栅串联电阻RG
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典型1Ω@f=1.0MHz
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开通延迟时间Td(on)
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24ns@VDD=50V,ID=70A,RG=5Ω
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上升时间trise
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91ns@VDD=50V,ID=70A,RG=5Ω
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关断延迟时间Td(off)
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75ns@VDD=50V,ID=70A,RG=5Ω
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下降时间tfall
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65ns@VDD=50V,ID=70A,RG=5Ω
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输入电容Ciss
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6800pF@VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
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输出电容Coss
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630pF
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反向传输电容Crss
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350pF
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体二极管正向电压VSD
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最大1.2V@VGS=0V,IS=70A
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反向恢复时间trr
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43ns@ISD=70A,diF/dt=100A/μs
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反向恢复电荷Qrr
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67nC
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KNB2910A（TO-263封装）平替替代型号清单
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FDD130N10
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IRF130N10
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STB130N10
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SPP130N10
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HY130N10
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KNB2910A（TO-263封装）产品营销说明
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KNB2910A为KIA贴片N沟道mos管，TO-263封装，耐压100V，连续电流130A。
超低导通电阻，开关损耗低，适配电源同步整流、高速功率开关。
100%雪崩测试，可靠性高，RoHS环保，贴片大功率电源优选器件。
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