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KNB2710A（TO-263封装）产品概述 KNB2710A（TO-263）N沟道mos管
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型号
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KNB2710A
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封装
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TO-263
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品牌
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KIA
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类型
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N-CHANNEL MOSFET
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VDS
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100V
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ID连续电流(25℃)
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160A
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RDS(on)
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典型4.5mΩ，最大5mΩ@VGS=10V,ID=25A
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KNB2710A（TO-263封装）产品特点
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自研全新沟槽工艺
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低栅电荷，降低开关损耗
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快恢复体二极管
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超低导通电阻RDS(on)
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应用场景
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高效率DC/DC转换器
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同步整流电路
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UPS逆变电源
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KNB2710A（TO-263封装）引脚定义
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引脚
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功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
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3
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Source 源极
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订购信息
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料号
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封装
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KNB2710A
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TO-263
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KNB2710A（TO-263封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数
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规格
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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±20V
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连续漏极电流ID(25℃)
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160A
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连续漏极电流ID(100℃)
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120A
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脉冲漏极电流IDM
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640A
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单脉冲雪崩能量EAS
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1200mJ
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峰值二极管恢复dv/dt
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5V/ns
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功耗PD(25℃)
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333W
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降额系数(>25℃)
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2.22W/℃
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焊接最高温度TL
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300℃
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封装焊接温度TPAK
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260℃
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工作&存储温区TJ&TSTG
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-55~+150℃
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KNB2710A（TO-263封装）热特性
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参数
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规格
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结到壳热阻RθJC
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0.45℃/W
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结到环境热阻RθJA
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62℃/W
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KNB2710A（TO-263封装）电气特性(TJ=25℃)
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参数
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规格
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漏源击穿电压BVDS
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100V@VGS=0V,ID=250μA
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漏源漏电流IDSS
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最大5μA@VDS=100V,VGS=0V
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高温漏电流IDSS@125℃
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最大100μA@VDS=80V,VGS=0V
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栅源漏电流IGSS
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±100nA@VGS=±20V,VDS=0V
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栅源阈值电压VGS(th)
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2~4V@VDS=VGS,ID=250μA
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栅串联电阻RG
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典型2Ω@f=1.0MHz
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输入电容Ciss
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8000pF@VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
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反向传输电容Crss
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950pF
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输出电容Coss
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760pF
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总栅电荷Qg
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120nC@VDD=50V,ID=80A,VGS=10V
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栅源电荷Qgs
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50nC
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栅漏米勒电荷Qgd
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40nC
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开通延迟时间td(on)
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60ns@VDD=50V,ID=40A,RG=10Ω
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上升时间trise
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132ns
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关断延迟时间td(off)
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170ns
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下降时间tfall
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85ns
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体二极管连续源电流ISD
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160A
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体二极管脉冲源电流ISM
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640A
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二极管正向电压VSD
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最大1.4V@IS=25A,VGS=0V
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反向恢复时间trr
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100ns@VGS=0V,IF=80A,diF/dt=100A/μs
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反向恢复电荷Qrr
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335uC
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KNB2710A（TO-263封装）平替替代型号清单
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IRF160N10
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STB160N10
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FDD160N10
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HY160N10
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SPP160N10
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KNB2710A（TO-263封装）产品营销说明
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KNB2710A是KIA TO-263贴片N沟道mos管，耐压100V，连续电流160A。
全新沟槽工艺，Rds(on)低至4.5mΩ，栅电荷小，开关损耗低。
快恢复体二极管，雪崩能量高达1200mJ，适配DC/DC、同步整流、UPS逆变。
大功率贴片电源优选器件，可靠性强，支持试样与规格书下载。
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