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KNP2912A N沟道mos管｜TO-220封装 120V 130A
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型号
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KNP2912A
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封装
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TO-220
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产品简述
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采用先进沟槽工艺，低Rds(on)、低栅极电荷，适用多场景电源开关
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产品亮点
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? Vds=120V，Id=130A，Rds(on)典型6.0mΩ@Vgs=10V
? 高密度元胞设计，导通电阻更低
? 雪崩电压电流完整表征，高EAS
? 稳定性、一致性好，封装散热优异
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应用领域
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电源开关、硬开关高频电路、不间断电源UPS
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KNP2912A（TO-220封装）引脚定义
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin2
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Drain 漏极
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Pin3
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Source 源极
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绝对最大额定参数(25℃)
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漏源电压 VDS
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120V
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栅源电压 VGS
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±20V
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连续漏极电流 ID
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130A
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脉冲漏极电流 IDM
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520A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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1155mJ
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功耗 PD
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339W
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结温存储温度 TJ,TSTG
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-55 ~ +175℃
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KNP2912A（TO-220封装）热学参数
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结到壳热阻 RθJC
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0.44 ℃/W
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KNP2912A（TO-220封装）电气特性参数(TA=25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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120V(VGS=0V,ID=250μA)
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漏源泄漏电流 IDSS
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Max 1μA(VDS=120V,VGS=0V)
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栅源正向漏电流 IGSS(F)
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Max 100nA(VGS=+20V)
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栅源反向漏电流 IGSS(R)
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Max -100nA(VGS=-20V)
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导通电阻 RDS(on)
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Typ6.0mΩ Max7.5mΩ@VGS=10V,ID=30A
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栅极阈值电压 VGS(th)
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2.0~4.0V Typ3.0V
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栅极电阻 Rg
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Typ3.0Ω(VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz)
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总栅电荷 Qg
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Typ189nC(VDD=100V,VGS=10V,ID=85A)
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栅源电荷 Qgs
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Typ29nC(VDD=100V,VGS=10V,ID=85A)
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栅漏电荷 Qgd
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Typ90nC(VDD=100V,VGS=10V,ID=85A)
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开通延迟时间 td(on)
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Typ35ns
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上升时间 tr
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Typ46ns
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关断延迟时间 td(off)
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Typ95ns
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下降时间 tf
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Typ52ns
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输入电容 Ciss
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Typ8120pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz)
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输出电容 Coss
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Typ788pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz)
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反向传输电容 Crss
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Typ530pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz)
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体二极管正向压降 VSD
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Max1.2V(VGS=0V,IS=30A)
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KNP2912A（TO-220封装）平替替代型号清单
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兼容平替型号
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KNB2912A(TO-263)
IRF3205
FDP130N12
STP130N12
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KNP2912A（TO-220封装）产品营销说明
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产品优势
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KNP2912A为KIA 120V/130A N沟道mos管，TO-220直插封装，极低导通电阻
，开关损耗小，具备高雪崩耐量，一致性稳定，散热优良，适合大功率硬开关电源、
UPS不间断电源方案，国产替代，交期稳定，可提供样品测试。
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