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KCT2213A N沟道mos管｜TOLL-8封装 135V 200A
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型号
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KCT2213A
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封装
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TOLL-8
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产品简述
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采用SGT工艺，高坚固度，低Rds(on)，低栅电荷，100%雪崩测试
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产品亮点
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? SGT MOSFET工艺，器件坚固耐用
? Rds(on)典型2.9mΩ@Vgs=10V，低导通损耗
? 低栅极电荷Typ151nC，dv/dt性能提升
? 100%雪崩测试，可靠性强
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应用领域
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同步整流、电机控制、锂电池保护板
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KCT2213A（TOLL-8封装）引脚定义
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin9
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Drain 漏极
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Pin2,3,4,5,6,7,8
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Source 源极
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KCT2213A（TOLL-8封装）绝对最大额定参数(25℃)
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漏源电压 VDSS
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135V
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栅源电压 VGSS
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±20V
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连续漏极电流 ID(25℃)
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200A
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连续漏极电流 ID(100℃)
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180A
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脉冲漏极电流 IDM
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880A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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1156mJ
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重复雪崩能量 EAR
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100mJ
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峰值二极管恢复dv/dt
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5V/ns
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功耗 PD
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403W
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降额系数
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3.2 W/℃
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引脚焊接最高温度 TL
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300℃(5s)
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结温存储温度 TJ,TSTG
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-55 ~ +150℃
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KCT2213A（TOLL-8封装）热学参数
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结到壳热阻 RθJC
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0.31 ℃/W
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KCT2213A（TOLL-8封装）电气特性参数(TJ=25℃)
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漏源击穿电压 BVDS
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135V(VGS=0V,ID=250μA)
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击穿电压温度系数
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0.1V/℃
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漏源泄漏电流 IDSS
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Max1μA@135V；Max50μA@125℃
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栅源漏电流 IGSS
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±100nA(VGS=±20V,VDS=0V)
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导通电阻 RDS(on)
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Typ2.9mΩ Max3.6mΩ@VGS=10V,ID=30A
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高温导通电阻RDS(on)
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Typ4.7mΩ(TJ=125℃,VGS=10V,ID=30A)
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栅极阈值电压 VGS(th)
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2.5~4.5V
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正向跨导 Gfs
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Typ87S(VDS=5V,ID=30A)
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栅极电阻 Rg
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Typ2.1Ω(f=1MHz)
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输入电容 Ciss
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Typ10000pF(VGS=0V,VDS=68V,f=100kHz)
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输出电容 Coss
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Typ1200pF(VGS=0V,VDS=68V,f=100kHz)
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反向传输电容 Crss
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Typ30pF(VGS=0V,VDS=68V,f=100kHz)
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总栅电荷 Qg
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Typ150nC(VDS=108V,ID=30A,VGS=10V)
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栅源电荷 Qgs
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Typ54nC(VDS=108V,ID=30A,VGS=10V)
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栅漏米勒电荷 Qgd
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Typ34nC(VDS=108V,ID=30A,VGS=10V)
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开通延迟时间 td(on)
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Typ55ns
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上升时间 trise
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Typ68ns
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关断延迟时间 td(off)
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Typ86ns
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下降时间 tfall
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Typ38ns
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连续源极电流 ISD
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200A
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脉冲源极电流 ISM
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880A
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体二极管正向压降 VSD
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Max1.4V(IS=50A,VGS=0V)
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反向恢复时间 trr
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Typ104ns(IS=30A,VGS=0V)
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反向恢复电荷 Qrr
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Typ331uC(IS=30A,VGS=0V)
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平替替代型号清单
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兼容平替型号
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IRFR200N135
NTMFS200N13S
STL200N135
FDBL200N135
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KCT2213A（TOLL-8封装）产品营销说明
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产品优势
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KCT2213A为KIA 135V/200A N沟道mos管，TOLL-8贴片封装
，SGT工艺，极低导通电阻，低栅电荷，dv/dt能力强，
100%雪崩检测，适合同步整流、电机驱动、锂电保护板，
国产替代，可申请样品测试。
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