深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

光耦驱动mos管电路详解-光耦对mos驱动电流计算三种方式-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-06-11 

分享到:

光耦控制器mos管

在光耦驱动的电路中,针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的.—般常用的估算方式,将对光耦mos管估算方式进行介绍.并对每种估算方式进行讲解

第一种:公式估算法

可以使用如下公式估算:

Ig=Qg/Ton


其中:

Ton=t3-t0≈td(on)+tr

td(on):MOS导通延迟时间,从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。

Tr:上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)


第二种:(第一种的变形)

密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/Ig;

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;

Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;


第三种:曲线估算法

以一个实际MOS管为例,看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通(密勒效应)假定你希望在0.2us内使管子开通,估计总时间(先上升然后水平再上升)为0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,当然,这是峰值,仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流,其他时间几乎没有电流,平均值很小,但如果驱动芯片不能输出这个峰值,管子的开通就会变慢。

光耦驱动mos管电路光耦驱动mos管电路

这3种目前较为常见的对于光耦应用中MOS管进行估算的方法。每种方法都有其自身的特点,根据不同的情况,设计者可以根据公式或曲线模式来对MOS管的取值进行估算。

继电器的专业术语:

Form A=常开触点

Form B=常闭触点

Form C=转换触点

Form E=双稳态开关

AT=安培匝数用于描述磁场灵敏度的参数

NC是常闭触点(正常闭合)

NO是常开触点(常开)


光耦继电器(MOS输出)特点

无触点,因此没有触点的磨损,使用寿命是无限的;

无震动和弹跳;防震,抗摔性;

无动作声音;

小体积(有直插和贴片两种封装),高信赖性;

AC/DC兼用;

高速切换;

低放电电压;

低动作电流(省电流);

低开路时的漏电电流;

输入与输出间完全绝缘;


可控制各种负载(继电器、电灯、发光二极管、加热器、马达、电磁吸筒等)。

光耦继电器是没有寿命的,发光二极管导通截止,接收二极管导通截止,不会因为老化而坏掉。因此光耦继电器适用于反复需要开关的领域。


光耦继电器还有一个优点就是没响声,不会咔嚓咔嚓响

继电器触点类型有:1常开、1常闭、1开1闭、2常开、2常闭…..

总之很多很多,按需求选择。


其实光耦继电器按输出结构也可以分为MOS(场效应管)输出或SCR(可控硅整流管)输出。

MOS输出的负载电流比较小(通常几百mA),而如果是SCR输出的负载电流比较大(能达到几mA)


联系方式:邹先生(mos管厂家)

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

光耦驱动mos管电路