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MOS管大功率驱动电源

信息来源:本站 日期:2017-04-26 

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MOS管大功率驱动电源

MOS管功率放具有鼓励功率小,输出功率大,输出漏极电流具有负温度系数,安全可靠,且有工作频率高,偏置简略等长处。


mos管作用:

MOS管主驱动电路的输出端与MOS管的栅极电衔接,输入端接单片机脉宽调制输入信号。 以运放的输出作为OCL的输入,到达克制零点漂移的作用。


mos管电路:

MOS管驱动电路,驱动电路包含MOS管主驱动电路和欠压维护电路。欠压维护电路衔接在MOS管主驱动电路的输入端,包含对比器、电阻R1、R2和稳压二极管D2;电阻R2和对比器的输入端并联再与电阻R1串联在MOS管主驱动电路的驱动电源和电源地之间;对比器的输出端串联稳压二极管D2。


本实用新型的欠压维护电路将驱动电源电压经电阻分压后的电压与设定的基准电压对比,假如低于基准电压,欠压维护驱动电路当即堵截MOS管驱动电路,有用避免MOS管进入线性区所形成的功率器材功率低及易损坏等不良后果。


mos开关管:

开关损耗与功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,由于内阻越小,cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。对于前者,留意不要将负载电压设置的太高,固然负载电压高,效率会高点。如果芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发烧。有的工程师没有留意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严峻影响LED的使用寿命。在均匀电流不变的条件下,只能看着光衰了。不管如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。


mos管电路特征:

1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需要的MOS管。

3,gate电压的峰值束缚

4,输入和输出的电流束缚

5,通过运用适合的电阻,可以抵达很低的功耗。

6,PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来处理。


mos管参数:

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流温度系数

Vn---噪声电压

η---漏极效率(射频功率管)

Zo---驱动源内阻

VGu---栅衬底电压(直流)

VDu---漏衬底电压(直流)

Vsu---源衬底电压(直流)

VGD---栅漏电压(直流)

VDS(sat)---漏源饱满电压

VDS(on)---漏源通态电压

V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

VGSR---反向栅源电压(直流)

VGSF--正向栅源电压(直流)

Tstg---贮成温度

Tc---管壳温度

Ta---环境温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温

PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

POUT---输出功率

PIN--输入功率

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散功率

R(th)ja---结环热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负载电阻(外电路参数)

Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS---漏源电阻

Ls---源极电感

LD---漏极电感

L---负载电感(外电路参数)

Ku---传输系数

K---失调电压温度系数

gds---漏源电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨导

Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

Iu---衬底电流

IDSS2---对管第二管漏源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IF---二极管正向电流

IGP---栅极峰值电流

IGM---栅极脉冲电流

IGSO---漏极开路时,截止栅电流

IGDO---源极开路时,截止栅电流

IGR---反向栅电流

IGF---正向栅电流

IG---栅极电流(直流)

IDS(sat)---沟道饱满电流(漏源饱满电流)

IDSS---栅-源短路时,漏极电流

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏源电流

IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

ID(on)---通态漏极电流

dv/dt---电压上升率(外电路参数)

di/dt---电流上升率(外电路参数)

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪崩击穿能量

Iar:雪崩电流

Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充电电量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游通压降.

ISM:脉冲最大续流电流(从源极).

IS :接连最大续流电流(从源极).

EAR:重复雪崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.


mos管器件检测:

1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好

2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。

3、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。

4、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。



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