系列名称：MOSFET 沟道：N沟道 耗散功率（pd）：147 漏源反向电压（Vds）：...系列名称：MOSFET 沟道：N沟道 耗散功率（pd）：147 漏源反向电压（Vds）：600 栅源反向电压（Vgs）：30 漏极电流（连续）（id）：7.5 静态漏源电阻R DS(ON...
耗散功率（pd）：142 漏源反向电压（Vds）：600 栅源反向电压（Vgs）：30 漏...耗散功率（pd）：142 漏源反向电压（Vds）：600 栅源反向电压（Vgs）：30 漏极电流（连续）（id）：17.4 最高结温（Tj），℃：150
KIA5N60 N沟道 MOSFET 4.5A /600V TO-250、TO-220F封装最新规格书 自行提供mo...KIA5N60 N沟道 MOSFET 4.5A /600V TO-250、TO-220F封装最新规格书 自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器...
LED驱动电路直接采用220V的交流市电作为电源。固然工作电流不大，但是工作电压...LED驱动电路直接采用220V的交流市电作为电源。固然工作电流不大，但是工作电压较高，而且是未经隔离的，所以假如有朋友对此电路感兴味想要自制的话一定要注意安全...
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V *低栅极电荷量 *低反向传输电容...4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V *低栅极电荷量 *低反向传输电容 *开关速度快 *提升了dv/dt 能力
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱...电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱...
