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5N60现货供应商 5N60参数中文资料 5N60参数配置对比

信息来源:本站 日期:2018-01-13 

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KIA5N60

N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的。有平面的DMOS工艺。这种先进技术特别适合于最小化。在状态电阻方面,提供优越的开关性能,并能承受高能量脉冲。雪崩换相模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源。基于半桥的电源和电子镇流器。


特征

4.5A,600V,RDS(ON)= 2Ω@ VGS = 10v

低反馈电容(典型值8.0pf)

低栅极电荷(典型值高= 16nc)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt/dt能力

符合RoHS


参数

产品编号:KIA 5N60

系列名称:MOSFET

沟道:N沟道

耗散功率(pd):100

漏源反向电压(Vds):600

栅源反向电压(Vgs):30

漏极电流(连续)(id):5

最高结温(Tj),℃:150

上升时间(tr):42

输出电容(Cd),PF:55

通态电阻(Rds),ohm:1.8

封装形式:TO-220、TO-220F等


4N60

描述

5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET

适用范围

开关电源、逆变器等

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LOGO

厂家

KIA原厂家

网址

www.kiaic.com

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总7页

联系方式:邹先生(KIA MOS管)

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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5N60

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