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8N60制造商 8N60MOS管价格 8N60MOS管批发/采购-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-01-14 

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8N60 MOS管参数

kia8n60是一种高电压MOSFET和设计有更好的特性,如快速开关时间,低门电荷,低通态电阻,并具有较高的坚固雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于高速开关电源,PWM电机,控制器,高效率的DC至DC转换器和桥电路。

系列名称:MOSFET
沟道:N沟道
耗散功率(pd):147

漏源反向电压(Vds):600

栅源反向电压(Vgs):30

漏极电流(连续)(id):7.5

静态漏源电阻R DS(ON),Yyp:0.98

总功耗(Tc):25℃

热阻(RthCS):05

热阻结温(RthJC):0.85

通态电阻(Rds),Typ:0.98

上升时间(tr):VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高结温(Tj),℃:150

8N60(7.5A,600V)

产品编号

KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF

产品工艺

8N60该产品具有较低的导通电阻,优越的开关性能很高的雪崩、击穿耐量

特征

1.超低栅极电荷(典型的29nc

2.快速切换的能力

3.雪崩能量测试

4.提升的dtdt能力

适用范围

该产品适用于高速开关电源,PWM电机控制,高效率的DCDC转换器和桥电路。

封装形式

TO-220TO-220F等

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厂家

KIA原厂家

网址

www.kiaic.com

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6


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QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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8N60

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