8N60 MOS管参数

kia8n60是一种高电压MOSFET和设计有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有较高的坚固雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于高速开关电源，PWM电机，控制器，高效率的DC至DC转换器和桥电路。

系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：147

漏源反向电压（Vds）：600

栅源反向电压（Vgs）：30

漏极电流（连续）（id）：7.5

静态漏源电阻R DS(ON)，Yyp：0.98

总功耗（Tc）：25℃

热阻（RthCS）：05

热阻结温（RthJC）：0.85

通态电阻（Rds），Typ：0.98

上升时间（tr）：VDD=300V,R G =25Ω,ID =7.5A(note4,5)

最高结温（Tj），℃：150

	8N60（7.5A，600V）
产品编号	KIA8N60/F/ HF/HI/P/PF
产品工艺	8N60该产品具有较低的导通电阻，优越的开关性能很高的雪崩、击穿耐量
特征	1.超低栅极电荷（典型的29nc） 2.快速切换的能力 3.雪崩能量测试 4.提升的dt／dt能力
适用范围	该产品适用于高速开关电源，PWM电机控制，高效率的DC至DC转换器和桥电路。
封装形式	TO-220、TO-220F等
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
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